[发明专利]能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法有效
| 申请号： | 201410520197.1 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104310457A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 仇鹏飞;史迅;陈立东;张天松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01G3/12 | 分类号： | C01G3/12;C01G49/12;C01B19/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 能够 抑制 cu 离子 迁移 热电 材料 以及 方法 | ||
1.一种Cu基热电材料，其特征在于，所述热电材料的化学组成为Cu2-m-nTnX，其中，X为S或Se，T为大电流作用下不可移动的过渡金属元素，0≦m≦1，0＜n≦0.5。
2.根据权利要求1所述的Cu基热电材料，其特征在于，0.02≦m≦0.5。
3.根据权利要求1或2所述的Cu基热电材料，其特征在于，0.01≦m≦0.25。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的Cu基热电材料，其特征在于，T为Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Zn中的至少一种过渡金属元素。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的Cu基热电材料，其特征在于，所述大电流为1-12 A/cm2，相对所述Cu基热电材料的初始电阻，在施加所述大电流1000S后，所述Cu基热电材料的电阻的下降幅度低于30 %。
6.一种制备权利要求1所述的Cu基热电材料化合物的方法，其特征在于，包括：
取摩尔比为（2-m-n）：n：1的铜、T单质和X单质并对其进行真空封装；
在700～1400℃下熔融处理0.5～3000小时；
在300～900℃下退火处理1～3000小时；以及
在300～800℃、10～500MPa下进行热压烧结或放电等离子体烧结。
7.一种抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法，其特征在于，采用大电流作用下不可移动的过渡金属元素T部分取代Cu基热电材料Cu2-mX中的Cu原子以形成组成为Cu2-m-nTnX的热电材料，其中，X为S或Se，0≦m≦1，0＜n≦0.5。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，0.02≦m≦0.5。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，0.01≦m≦0.25。
10.根据权利要求7-9中任一项所述的方法，其特征在于，T为Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Zn中的至少一种过渡金属元素。
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