[发明专利]靶材的剩余溅射时间的获得方法

说明书

一种靶材的剩余溅射时间的获得方法，包括：提供一个已知初始厚度的靶材；将所述靶材进行部分溅射，并记录溅射时间；测量部分溅射后的靶材的剩余厚度获得最小剩余厚度，并根据所述最小剩余厚度获得最大溅射厚度；根据所述初始厚度与所述溅射时间的乘积、所述乘积与所述最大溅射厚度的比值来获得靶材的剩余溅射时间。采用本发明中的靶材的剩余溅射时间的获得方法，可以降低磁控溅射成本。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及靶材的剩余溅射时间的获得方法。

背景技术

磁控溅射是电子在电场的作用下加速飞向基板的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基板，氩离子在电场的作用下加速轰击溅射基台上的靶材组件中的靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子(或分子)沉积在基板上成膜，而最终达到对基板表面镀膜的目的。

靶材组件还包括与靶材焊接连接的背板，背板起到支撑靶材并传递热量的作用。

现有技术中，如果靶材在磁控溅射的过程中被溅射穿露出背板，此时背板在磁控溅射的过程中也受到损伤，会使背板报废。另外，连接靶材与背板的焊料材料成分、背板的材料成分会被溅射至基板上，从而使基板报废。因此，需要停止磁控溅射操作，更换靶材组件和基板并重新开始磁控溅射镀膜操作。因此，现有技术中的磁控溅射镀膜操作的成本非常高。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术中，磁控溅射镀膜操作的成本非常高。为解决上述问题，本发明提供了一种靶材的剩余溅射时间的获得方法，包括：

提供一个已知初始厚度的靶材；

将所述靶材进行部分溅射，并记录溅射时间；

测量部分溅射后的靶材的剩余厚度获得最小剩余厚度，并根据所述最小剩余厚度获得最大溅射厚度；

根据所述初始厚度与所述溅射时间的乘积、所述乘积与所述最大溅射厚度的比值来获得靶材的剩余溅射时间。

可选的，获得靶材的剩余溅射时间的步骤包括：

通过所述初始厚度与所述溅射时间的乘积、所述乘积与所述最大溅射厚度的比值得到所述靶材的溅射总时间；

所述靶材的剩余溅射时间等于所述溅射总时间与所述溅射时间的差值。

可选的，根据所述最小剩余厚度获得最大溅射厚度是指：所述初始厚度与所述最小剩余厚度的差值为最大溅射厚度。

可选的，采用三坐标检测机测量所述部分溅射后的靶材的剩余厚度。

可选的，采用千分表测量装置测量所述部分溅射后的靶材的剩余厚度。

可选的，所述千分表测量装置包括分立的底座，固定在每个分立的底座上的支架，将所述支架连接并与所述底座相对的横梁，所述横梁与所述底座具有间隔，

所述千分表测量装置还包括可沿所述横梁移动的千分表。

可选的，所述靶材为长方体，从宽度方向上对所述部分溅射后的靶材的溅射面进行测量点的选取。

可选的，所述部分溅射后的靶材的溅射面具有第一测量线，所述第一测量线与靶材的宽边平行，沿所述第一测量线测量部分溅射后的靶材的剩余厚度。

可选的，所述第一测量线具有若干条，所述第一测量线在所述靶材中心区域分布密集，在所述靶材边缘区域分布稀疏。

可选的，所述靶材为圆柱体，所述部分溅射后的靶材溅射面为圆形，所述溅射面的直径方向具有第二测量线，所述两条第二测量线互相垂直。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：