[发明专利]一种高性能阻垢材料的生产方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201410518300.9 申请日: 2014-10-02
公开(公告)号: CN104230012A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 蔡宜芳 申请(专利权)人: 蔡宜芳
主分类号: C02F5/10 分类号: C02F5/10
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 周新亚;杜静静
地址: 210018 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 性能 材料 生产 方法 及其 应用
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种阻垢材料的生产方法,具体地说是一种高性能阻垢材料的生产方法,属于水资源净化技术领域。

背景技术

随着社会的发展,科技的进步,人们的生活水平也在不断的改善,消费者对自身健康也越开越重视,近几年市场上的净水设备也层出不穷,常用的软水机一般由三个部份构成的,树脂桶、盐桶和控制阀,其工作过程为有硬度的水经过树脂桶时,水中钙镁离子会与树脂上的钠离子进行交换,当树脂上的钠离子被置换完后,控制阀从盐桶吸盐对树脂进行再生。该过程有几个弊端:a.盐置换时会向水中排放钠离子和氯离子,导致水呈酸性,而酸性水会使管道和设备腐蚀;b.再生时,向环境中的水和土壤里排放大量浓盐水;c.控制阀不能断电,否则要重置;d.定期要加盐;e.出水含钠,高钠水不适合人体饮用。

目前世界上流行的几种物理阻垢方式以下几种,1、电容去离子法,主要用于精细化工等行业和实验室;2、电诱导沉淀法,主要用于工矿等行业的加热器和冷凝器;3、电磁水处理法,主要用于锅炉;4、成核结晶法:家庭、商业、工业;电容去离子法结构比较复杂,去除水中的阴阳离子,产生纯水,主要用于实验室、工业纯水等地方,不利于民用和商用,也不利于大面积推广;电诱导沉淀法结构复杂,操作不方便,维护费用高,另外由于各地水质情况不一,效果也不是很明显。电磁水处理法通过电磁场加大钙、镁离子的活力,需要即时使用,否则离子恢复自然活力后,还是会生垢。成核结晶法无需用电,不需再生,不需改变水的属性,结晶体阻垢持久,非常适用于所有市政自来水的地区,基本上零维护,但是该技术相对复杂,目前尚未成熟。因此,迫切的需要一种新的技术方案解决上述技术问题。

发明内容

本发明正是针对现有技术中存在的技术问题,提供一种高性能阻垢材料的生产方法及其应用,该方法以异型树脂聚合物(Polymer Resin)的球型颗粒为媒介,直径0.5—1mm,采用形成晶元、扩增晶元、活化其表面的工艺,开发国际领先的具有“低能异相成核”结晶反应的高性能物理阻垢材料,批量生产该阻垢材料和相关过滤器,该技术方案采用先进的物理阻垢材料,无需能耗,并具有化学产品的阻垢、除垢功能;节省维护费用,同时,免除了现代广泛使用在阻垢、除垢中的化学添加剂,减少对水源和环境的污染;使用周期长,寿命3-5年。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为,一种高性能阻垢材料的生产方法,其特征在于,所述生产步骤如下,1)培育和产生晶元;2)晶元和球体表面优化,3)保护液封装以及玻璃涂层碎化。为了提高树脂聚合物球形颗粒的阻垢、除垢能力,需在树脂聚合物球形颗粒表面产生数量众多、活力四射的晶元,因此,该技术方案首先是培育和产生晶元。

作为本发明的一种改进,所述步骤1)中具体操作如下,1)培育和产生晶元,将异型树脂聚合物原材料球型颗粒放置于特殊配方的液体中浸泡,促进这些颗粒表面生成纳米级的凹陷,该凹陷不平的表面与树脂聚合物化学成分的结合,形成了吸引和催化离子反应的晶元,反复浸泡能提高球型颗粒表面所生成的晶元数量,在球形颗粒颗粒表面形成微细裂纹。所述异型树脂聚合物由硅、铝、苯乙烯树脂混合而成,经过一定时间的浸泡后,草酸溶液中的金属络合物与原料颗料中的硅、铝、苯乙烯结合,形成具有网状结构、不溶于水的活性基团。

作为本发明的一种改进,所述特殊溶液由草酸溶合硼、锌、镁、锂、钛金属形成溶于水的络合物加工而成,按照质量百分数,其中硼3—8%,锌5—10%,镁10—15%,锂0.5—2%,钛0.1—1.2%,其余为水,优选为,其中硼5%,锌8%,镁12%,锂1%,钛0.8%,其余为水。

作为本发明的一种改进,所述特殊溶液的温度为75℃—85℃,浓度为55%—65%,浸泡的时间为45—50小时。液体温度在75℃—85℃,球体表面瞬刻开始隆起或凹陷,形成纳米级的、弯曲不平的缝隙。该缝隙的几何结构与球形颗粒化学成分的结合,生成带有特殊标志/印记的,并能吸引和催化离子反应的晶元。液体中离子的浓度提供了生成晶元的能量;液体中离子的不规则性构成了晶元的几何结构;合宜的温度及液体中离子浓度保证了晶元的扩增。其性能指标为,在1um2球形颗粒平面上,形成的裂缝条数2~5;在1um2球形颗粒平面上,晶元数目大于15;晶元表面平均面积为0.020um2或20000nm2;晶元形态为不规则的、近似圆形,平均直径为0.08~0.1um或80~100 nm;晶元活力为在5秒内,晶元完成离子吸附、结晶、晶体生长与脱离。

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