[发明专利]电压调整系统

权利要求书

1.一种电压调整系统（1），其适于连接到电压源（BAT）以便将调整的电压（Vdd）提供到至少一个功能部件（F），所述调整系统包括：

·预调整器（PR），其适于连接到电压源（BAT）；以及

·调整器（REG），其包括适于连接到所述预调整器（PR）的至少一个预调整端口（P_PR）和适于连接到功能部件（F）的一个功能端口（P_dd），所述调整器（REG）包括将预调整端口（P_PR）直接连接到所述调整器（REG）的功能端口（P_dd）的适配设备（Q），适配设备（Q）由包括漏极（D）、源极（S）和栅极的单个MOS功率晶体管组成；

其特征在于，MOS晶体管包括在其漏极（D）和其源极（S）之间的本征二极管（DIODE），其被导向从而阻塞在所述功能端口（P_dd）和所述预调整端口（P_PR）之间的电流，调整器（REG）的所述功能端口（P_dd）适于接收功能电压V_dd，并且预调整器（PR）被配置用于为预调整端口（P_PR）提供预调整电压V_PR，使得：

，

其中，预调整器（PR）包括至少一个预调整MOS晶体管（MOS_PR），调整器包括控制设备（K），其适于控制所述预调整MOS晶体管（MOS_PR）的栅极从而调节预调整电压V_PR，其中控制设备（K）包括至少一个运算放大器，所述运算放大器的正相输入端连接到适配设备（Q）的MOS晶体管的源极（S），所述运算放大器的反相输入端耦合到地，并且所述运算放大器的输出端耦合到预调整MOS晶体管（MOS_PR）的栅极。

2.根据权利要求1所述的电压调整系统，其中，所述MOS晶体管是N沟道NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的源极（S）连接到预调整端口（P_PR），同时所述NMOS晶体管的漏极（D）连接到所述调整器（REG）的功能端口（P_dd）。

3.根据权利要求1到2中任一项所述的电压调整系统，其中，所述MOS晶体管是P沟道PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源极（S）连接到功能端口（P_dd），同时所述PMOS晶体管的漏极（D）连接到所述调整器（REG）的预调整端口（P_PR）。

4.根据权利要求1到2中任一项所述的电压调整系统，其中，所述电压调整系统用于机动车辆。

5.一种运输车辆，其包括根据权利要求1到4中的任一项所述的电压调整系统。

6.根据权利要求5所述的运输车辆，其中，所述运输车辆是机动车。