[发明专利]一种ALN压电薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及传感器技术领域，具体涉及一种ALN压电薄膜

背景技术

ALN压电薄膜是一种性能优良的压电薄膜，近年来随着针对该技术研发工 作的深入展开，其使用性能得到了显著提高，已经在社会生产的诸多领域得到了 应用。然而现有技术的ALN压电薄膜由于其容易受损、使用寿命有待提高，因 此影响了应用范围。

发明内容

本发明旨在针对现有技术的技术缺陷，提供一种ALN压电薄膜，以提升其 使用寿命。

为实现以上技术目的，本发明采用以下技术方案：

一种ALN压电薄膜，包括保护层，ALN层，二氧化硅层，其中二氧化硅层 位于所述ALN压电薄膜的下部，保护层位于所述ALN压电薄膜的上部，ALN 层上表面与保护层相贴合，ALN层下表面与二氧化硅层相贴合。

本发明选用二氧化硅作为衬底，同时在现有技术的ALN层以上引入保护层， 从而在不影响其性能的基础上尽可能延长其使用寿命。本发明技术方案设计合理， 且易于实现，具有良好的推广应用前景。

附图说明

图1是本发明实施例的结构示意图；

图中：

1、保护层2、ALN层3、二氧化硅层

具体实施方式

一种ALN压电薄膜，包括保护层1，ALN层2，二氧化硅层3，其中二氧 化硅层3位于所述ALN压电薄膜的下部，保护层1位于所述ALN压电薄膜的 上部，ALN层2上表面与保护层1相贴合，ALN层2下表面与二氧化硅层3相 贴合。

以上对本发明的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施 例，并不用以限制本发明。凡在本发明的申请范围内所做的任何修改、等同替换 和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。