[发明专利]处理液供给装置和处理液供给方法有效
申请号: | 201410514563.2 | 申请日: | 2014-09-29 |
公开(公告)号: | CN104517814B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 寺下裕一;吉原孝介;高柳康治;古庄智伸;佐佐卓志 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B01D35/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 供给 装置 方法 | ||
本发明提供一种处理液供给装置和处理液供给方法,使得不浪费地消耗处理液,有效地抑制处理液中的颗粒的增加。该处理液供给装置包括:供给用于对被处理体进行处理的处理液的处理液供给源;经由供给路径与上述处理液供给源连接,向被处理体排出上述处理液的排出部;设置于上述供给路径,用于除去处理液中的异物的过滤器装置;分别设置于上述供给路径中的过滤器装置的初级侧和次级侧的供给泵和排出泵;和控制部,其输出控制信号,使得使用上述供给泵和排出泵中的至少一个对从上述处理液供给源供给的处理液进行减压而使其脱气,接着使用上述供给泵和排出泵使脱气后的处理液从上述过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置流通至次级侧。
技术领域
本发明涉及对例如半导体晶片或LCD用玻璃基板等的被处理体供 给处理液进行处理的处理液供给装置和处理液供给方法。
背景技术
一般而言,在半导体器件的制造的光刻技术中,对半导体晶片或 FPD基板等(以下,称为晶片等)涂敷光致抗蚀剂,对于由此形成的 抗蚀剂膜按照规定的电路图案进行曝光,对该曝光图案进行显影处理, 由此在抗蚀剂膜上形成电路图案。
在这样的光刻工序中,具有在供给至晶片等的抗蚀剂液和显影液 等处理液中由于各种原因而混入氮气等的气泡、颗粒(异物)的问题, 当混合存在有气泡、颗粒的处理液被供给至晶片等时,还存在发生涂 敷不均、缺陷的问题。为此,在处理液的管路中设置有用于将混合存 在于处理液中的气泡、颗粒除去的装置。
在现有技术中,作为这种装置,已知一种处理液供给装置,其在 连接供给喷嘴和处理液存积容器的供给管路中设置临时存积容器、过 滤器和泵,具有:与处理液存积容器和临时存积容器之间的供给管路 以及过滤器连接的循环管路;和设置于循环管路的可变节流阀(例如, 参照专利文献1)。该处理液供给装置为了实现在光刻工序中进行的处 理的效率和多样化,具备多个供给喷嘴,按照目的选择使用供给喷嘴。
在该处理液供给装置中,被过滤器除去气泡后的处理液的液压因 可变节流阀而下降,由此使得溶解于处理液中的气体被气泡化,该气 泡从循环路径经由供给管路再次通过过滤器而被除去。因此,能够高 效地除去溶解于处理液中的气体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-135535号公报(权利要求书、图3、 图4)
发明内容
发明想要解决的技术问题
然而,在具备多个供给管路的处理液供给装置中,在设置于与未 被使用的供给喷嘴连接的供给管路中的过滤器中发生处理液的滞留。 此处,如果在过滤器等容量大的场所使处理液长时间滞留,则发现如 下倾向:特别是滞留在过滤器中的气泡、凝胶在过滤器与处理液的界 面作为颗粒生长、增加。因此,作为防止混合存在于处理液中的颗粒 的增加的方法,考虑如下方法:在晶片等以外的场所定期地进行处理 液的排出,由此使得在过滤器等容量大的场所处理液不会长时间滞留 (伪排出)。但是,将在伪排出中排出的处理液废弃,因此存在处理液 的消耗量增大的问题。另外,在上述专利文献1的处理液供给装置中,由于利用过滤器除去气泡,因此存在气泡残留在过滤器装置中、使过 滤器装置的性能下降的可能性。
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于不浪费地消耗处理 液,有效地抑制处理液中的颗粒的增加。
用于解决技术课题的技术方案
本发明的处理液供给装置的特征在于,包括:
供给用于对被处理体进行处理的处理液的处理液供给源;
经由供给路径与上述处理液供给源连接,向被处理体排出上述处 理液的排出部;
设置于上述供给路径,用于除去处理液中的异物的过滤器装置;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造