[发明专利]处理液供给装置和处理液供给方法有效
| 申请号: | 201410514563.2 | 申请日: | 2014-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN104517814B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
| 发明(设计)人: | 寺下裕一;吉原孝介;高柳康治;古庄智伸;佐佐卓志 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B01D35/02 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 供给 装置 方法 | ||
1.一种处理液供给装置,其特征在于,包括:
供给用于对被处理体进行处理的处理液的处理液供给源;
经由供给路径与所述处理液供给源连接,向被处理体排出所述处理液的排出部;
设置于所述供给路径,用于除去处理液中的异物的过滤器装置;
分别设置于所述供给路径中的过滤器装置的初级侧和次级侧的供给泵和排出泵;
在所述排出泵的排出侧与供给泵的吸入侧之间设置的循环路径;和
控制部,其输出控制信号,使得使用所述供给泵和排出泵中的至少一个对从所述处理液供给源供给的处理液进行减压而使其脱气,接着使用所述供给泵和排出泵使脱气后的处理液从所述过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置流通至次级侧,
所述控制部输出控制信号,使得在所述供给泵、所述过滤器装置和所述排出泵中充满处理液之后,在所述供给泵的动作停止的状态下,由所述供给泵、所述排出泵、所述过滤器装置、所述供给路径的从所述供给泵至所述排出泵的区域和所述循环路径形成密闭空间,通过所述排出泵的泵室的扩张,所述密闭空间被减压,通过这样被减压,溶入所述密闭空间内的处理液中的气泡析出,进行所述处理液的脱气。
2.如权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述控制部输出控制信号,使得在所述供给泵、过滤器装置和排出泵中充满处理液之后,为了对处理液进行减压而使其脱气,使从所述供给泵至排出泵为止的空间成为封闭的减压空间。
3.如权利要求1或2所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述控制部输出控制信号,使得将被减压而脱气后的处理液从排出泵经由所述循环路径返回供给泵。
4.如权利要求3所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述控制部输出控制信号,使得多次反复进行如下一系列的步骤:将处理液减压而使其脱气,接着使脱气后的处理液从排出泵经由所述循环路径返回供给泵,接着使所述处理液从过滤器装置的初级侧流通至次级侧。
5.一种处理液供给装置,其特征在于,包括:
供给用于对被处理体进行处理的处理液的处理液供给源;
经由供给路径与所述处理液供给源连接,向被处理体排出所述处理液的排出部;
设置于所述供给路径,用于除去处理液中的异物的过滤器装置;
对从所述处理液供给源供给的处理液进行脱气的脱气机构;
送液用的泵,其使由所述脱气机构脱气后的处理液从所述过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置流通至次级侧;
设置在所述过滤器装置的次级侧的所述供给路径中的捕获罐;
用于使所述过滤器装置的次级侧的处理液返回初级侧而进行循环的循环路径;和
控制部,其输出控制信号,使得由所述脱气机构脱气后的处理液在所述循环路径中循环,
所述控制部输出控制信号,使得由所述循环路径、所述捕获罐、所述过滤器装置和所述泵构成密闭空间,通过所述泵的吸液动作,使所述密闭空间扩张,所述密闭空间被减压,通过这样被减压,溶入所述密闭空间内的处理液中的气泡析出,进行所述处理液的脱气。
6.如权利要求5所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述脱气机构包括对处理液进行减压的减压机构。
7.如权利要求6所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述减压机构包括用于对处理液进行吸引而形成减压空间的减压用的泵,
所述控制部输出控制信号,使得关闭所述减压用的泵的排出侧,打开吸入侧进行吸入动作。
8.如权利要求7所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述减压用的泵的吸入侧与用于捕获气泡而将其排出的捕获存液部连接,
所述控制部输出控制信号,使得关闭所述减压用的泵的排出侧,打开吸入侧进行吸入动作,并且使得从所述减压用的泵至所述捕获存液部为止的空间成为减压空间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





