[发明专利]LPCVD炉管及其主阀联锁装置电路

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造设备技术领域，具体来说，本发明涉及一种LPCVD炉 管及其主阀联锁装置电路。

背景技术

LPCVD(低压化学气相淀积)炉管在进炉后会先开小阀(副阀)建立预真空， 5分钟后再开大阀(主阀)建立淀积真空。在这个过程中，可能会由于炉管设备的 各种故障原因导致建立不到预真空，而过5分钟就直接开主阀以建立淀积真空，这 样就造成炉管内扰流太大而引起晶圆片子上颗粒(particle)无数。

造成上述问题的原因之一在于主阀中副阀的进气孔由于淀积物而造成预真空 无法建立，但是在现有技术中LPCVD炉管不能在预真空无法建立或者得不到希望 的数值时及时终止本次工艺。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种LPCVD炉管及其主阀联锁装置电路， 使LPCVD炉管在预真空无法建立或者达不到希望的数值时，能够及时终止本次淀 积工艺，预防和改善颗粒问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种LPCVD炉管的主阀联锁装置电路，其 输入端连接到一真空检测仪，其输出端对应到所述LPCVD炉管的工艺终止部件； 所述主阀联锁装置电路采用双电源输入，即连接到一正电源端和一负电源端；所述 主阀联锁装置电路包括：

第一电阻，其一端连接所述真空检测仪，接收一真空检测信号；

第二电阻和电位器，两者串联后连接于所述正电源端和地端之间，用于从中 提供所述LPCVD炉管的预真空的一设定数值所对应的下述比较器的动作电压；

比较器，其正输入端连接于所述第二电阻和所述电位器之间，其负输入端与 所述第一电阻的另一端连接；所述比较器还分别与所述正电源端和所述负电源端连 接；

第三电阻，其一端与所述比较器的输出端连接；

三极管，其基极与所述第三电阻的另一端连接，其发射极接地；

继电器，其一端与所述三极管的集电极连接，其另一端与所述正电源端连接；

第四电阻，其一端与所述三极管的集电极连接；以及

状态显示元件，其一端与所述第四电阻的另一端连接，其另一端与所述正电 源端连接。

可选地，所述主阀联锁装置电路还包括一带载能力增强电路；所述带载能力 增强电路连接于所述比较器的输出端和所述第三电阻之间，包括：

射极跟随器，其基极与所述比较器的输出端连接，其发射极与所述第三电阻 的一端连接；以及

第五电阻，连接于所述射极跟随器的集电极和发射极之间。

可选地，所述主阀联锁装置电路还包括：

第一续流二极管，其正极与所述三极管的集电极连接，其负极与所述正电源 端连接。

可选地，所述带载能力增强电路还包括：

第二续流二极管，其正极与所述射极跟随器的发射极连接，其负极与所述射 极跟随器的续流端连接。

可选地，所述主阀联锁装置电路还包括一电源稳定电路；所述电源稳定电路 采用双电源输入和输出，包括：

三端正稳压器和三端负稳压器，其各自的输入端和输出端分别连接于双电源 输入端和双电源输出端之间，其各自的接地端接地；

第一电解电容和第二电解电容，其各自的一端与分别与所述双电源输入端的 正输入端和负输入端连接，其各自的另一端接地；

第一普通电容和第二普通电容，其各自的一端与分别与所述双电源输入端的 正输入端和负输入端连接，其各自的另一端接地；以及

第三电解电容和第四电解电容，其各自的一端与分别与所述双电源输出端的 正输出端和负输出端连接，其各自的另一端接地；所述双电源输出端的正输出端和 负输出端与所述正电源端和所述负电源端相对应。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种LPCVD炉管，其具有主阀联锁装置 电路，所述主阀联锁装置电路的输入端连接到一真空检测仪，其输出端对应到所述 LPCVD炉管的工艺终止部件；所述主阀联锁装置电路采用双电源输入，即连接到 一正电源端和一负电源端；所述主阀联锁装置电路包括：

第一电阻，其一端连接所述真空检测仪，接收一真空检测信号；

第二电阻和电位器，两者串联后连接于所述正电源端和地端之间，用于从中 提供所述LPCVD炉管的预真空的一设定数值所对应的下述比较器的动作电压；