[发明专利]LPCVD炉管及其主阀联锁装置电路有效
申请号: | 201410509492.7 | 申请日: | 2014-09-28 |
公开(公告)号: | CN104195529A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 杨力勇;沈震 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐洁晶 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | lpcvd 炉管 及其 联锁 装置 电路 | ||
1.一种LPCVD炉管的主阀联锁装置电路(100),其输入端连接到一真空检 测仪,其输出端对应到所述LPCVD炉管的工艺终止部件;所述主阀联锁装置电路 (100)采用双电源输入,即连接到一正电源端(C)和一负电源端(D);所述主 阀联锁装置电路(100)包括:
第一电阻(121),其一端连接所述真空检测仪,接收一真空检测信号;
第二电阻(122)和电位器(143),两者串联后连接于所述正电源端(C)和 地端之间,用于从中提供所述LPCVD炉管的预真空的一设定数值所对应的下述比 较器(101)的动作电压;
比较器(101),其正输入端连接于所述第二电阻(122)和所述电位器(143) 之间,其负输入端与所述第一电阻(121)的另一端连接;所述比较器(101)还分 别与所述正电源端(C)和所述负电源端(D)连接;
第三电阻(123),其一端与所述比较器(101)的输出端连接;
三极管(103),其基极与所述第三电阻(123)的另一端连接,其发射极接 地;
继电器(105),其一端与所述三极管(103)的集电极连接,其另一端与所 述正电源端(C)连接;
第四电阻(124),其一端与所述三极管(103)的集电极连接;以及
状态显示元件(107),其一端与所述第四电阻(124)的另一端连接,其另 一端与所述正电源端(C)连接。
2.根据权利要求1所述的主阀联锁装置电路(100),其特征在于,所述主阀 联锁装置电路(100)还包括一带载能力增强电路(102);所述带载能力增强电路 (102)连接于所述比较器(101)的输出端和所述第三电阻(123)之间,包括:
射极跟随器(111),其基极与所述比较器(101)的输出端连接,其发射极 与所述第三电阻(123)的一端连接;以及
第五电阻(125),连接于所述射极跟随器(111)的集电极和发射极之间。
3.根据权利要求2所述的主阀联锁装置电路(100),其特征在于,
所述主阀联锁装置电路(100)还包括:
第一续流二极管(126),其正极与所述三极管(103)的集电极连接,其负 极与所述正电源端(C)连接;和/或
所述带载能力增强电路(102)还包括:
第二续流二极管(127),其正极与所述射极跟随器(111)的发射极连接, 其负极与所述射极跟随器(111)的续流端连接。
4.根据权利要求3所述的主阀联锁装置电路(100),其特征在于,所述主阀 联锁装置电路(100)还包括一电源稳定电路(104);所述电源稳定电路(104) 采用双电源输入和输出,包括:
三端正稳压器(131)和三端负稳压器(132),其各自的输入端和输出端分 别连接于双电源输入端和双电源输出端之间,其各自的接地端接地;
第一电解电容(133)和第二电解电容(134),其各自的一端与分别与所述 双电源输入端的正输入端和负输入端连接,其各自的另一端接地;
第一普通电容(135)和第二普通电容(136),其各自的一端与分别与所述 双电源输入端的正输入端和负输入端连接,其各自的另一端接地;以及
第三电解电容(137)和第四电解电容(138),其各自的一端与分别与所述 双电源输出端的正输出端和负输出端连接,其各自的另一端接地;所述双电源输出 端的正输出端和负输出端与所述正电源端(C)和所述负电源端(D)相对应。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造股份有限公司;,未经上海先进半导体制造股份有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410509492.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的