[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在衬底表面形成伪栅极膜；

在所述伪栅极膜内掺杂离子，在所述伪栅极膜内形成掺杂区和未掺杂区，所述掺杂区的表面与所述伪栅极膜的表面齐平，所述未掺杂区位于所述掺杂区底部，所述掺杂区的厚度为150埃～200埃；

在所述伪栅极膜内掺杂离子之后，刻蚀部分所述伪栅极膜直至暴露出衬底表面为止，在所述衬底表面形成伪栅极层，所述伪栅极层包括未掺杂区、以及位于未掺杂区表面的掺杂区；

对所述伪栅极层的侧壁进行减薄，使所述未掺杂区的侧壁相对于掺杂区的侧壁凹陷；

在对所述伪栅极层的侧壁进行减薄之后，在所述伪栅极层两侧的衬底内形成源漏区；

在形成源漏区之后，在所述衬底表面形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极层的侧壁，且所述介质层的表面与所述伪栅极层的表面齐平；

去除所述伪栅极层，在所述介质层内形成第一开口；

在所述第一开口内形成栅极，此时，栅极的顶部表面与介质层的顶部表面齐平；

平坦化所述栅极和介质层，使所述栅极和介质层的厚度减小，所述栅极和介质层减小的厚度分别等于所述掺杂区的厚度。

2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述伪栅极膜的材料为硅；在所述伪栅极膜内掺杂的离子为硼离子。

3.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述伪栅极膜的材料为无定形硅或多晶硅；所述伪栅极膜的厚度为500埃～1500埃，形成工艺为化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺。

4.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，对所述伪栅极层的侧壁进行减薄的工艺为湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀的刻蚀液为四甲基氢氧化铵溶液，所述四甲基氢氧化铵溶液的温度小于40℃。

5.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，在所述伪栅极膜内掺杂离子的工艺为离子注入工艺，注入能量小于6KeV，注入剂量大于1E15atoms/cm²。

6.如权利要求5所述的晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在所述离子注入工艺之后，采用退火工艺激活所述伪栅极膜内掺杂的离子；所述退火工艺为尖峰退火，退火温度为900℃～1100℃，退火时间为5秒～30秒。

7.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，对所述伪栅极层的侧壁进行减薄的厚度为3纳米～6纳米。

8.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述刻蚀伪栅极膜并形成伪栅极层的工艺包括：在所述伪栅极膜表面形成掩膜层，所述掩膜层覆盖需要形成伪栅极层的对应位置和结构；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述伪栅极膜并形成伪栅极层。

9.如权利要求8所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括SiN、SiON、SiOBN、SiOCN中的一种或多种组合；所述掩膜层的厚度为50埃～200埃；所述掩膜层的形成工艺包括：在伪栅极膜表面形成掩膜材料膜；刻蚀部分掩膜材料膜直至暴露出伪栅极膜表面，形成掩膜层；所述掩膜材料膜的形成工艺为原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺。

10.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，刻蚀部分所述伪栅极膜以形成栅极层的工艺为湿法刻蚀工艺、各向异性的干法刻蚀工艺中的一种或两种组合。

11.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在形成源漏区之前，在所述伪栅极层的侧壁表面形成侧墙；在所述伪栅极层和侧墙两侧的衬底内形成源漏区；所述侧墙的材料包括SiN、SiON、SiOBN、SiOCN中的一种或多种组合；所述侧墙的厚度为20埃～100埃；所述侧墙的形成工艺包括原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺。