[发明专利]一种测试内存功耗的方法在审

专利信息
申请号: 201410502157.4 申请日: 2014-09-26
公开(公告)号: CN104317683A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 刘胜 申请(专利权)人: 浪潮电子信息产业股份有限公司
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司 37100 代理人: 姜明
地址: 250101 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 测试 内存 功耗 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及内存测试技术,具体地说是一种测试内存功耗的方法。

背景技术

目前测试内存功耗的方法主要是,通过服务器主板的电流与内存VDD(电源端)电压乘积来计算内存的功耗,会存在了一些功耗上的误差,因为在测试的时候有一部分是给服务器主板上处理器等其他器件来供电的,导致将处理器的功耗也算在内存的测试功耗值以内,将会造成内存功耗计算不准确,产生较大的内存功耗数据误差。

发明内容

本方明针对现有技术存在的不足之处,提供一种比较简易、易操作、并且高敏度的内存功耗测量方法。

本发明所述一种测试内存功耗的方法,其解决所述技术问题采用的技术方案是:所述测试内存功耗的方法,提出了一种由内存、内存升高卡和电阻组成的内存功耗测试装置, 用内存升高卡将从内存插槽上单独接出来,同时内存串联所述电阻,通过电阻的电流就是通过整个内存的电流值,将通过内存条的电流通过电阻上量测出来,然后与内存的VDD电压进行乘积,准确测量出内存的功耗。

同时,通过本发明所述测试内存功耗的方法,结合系统下的内存压力程序,能够测试内存在不同状态下的功耗数值。本发明采用memtester软件在不同的压力状态下,测试通过电阻的不同电流值,再将测试电流值与内存的VDD电压值相乘,即可得到不同压力状态下的实际内存功耗值;或者直接跑客户的应用,就能实际计算出客户应用时内存的功耗。整个测试步骤包括:第一、在linux系统下安装memtester软件,第二、测试准备,第三、打开终端执行测试,第四、计算不同压力状态下内存功耗。

本发明提出了一种内存功耗测试装置,其结构包括内存、内存升高卡和电阻,所述内存升高卡设置在主板的内存插槽中,所述内存卡与所述内存升高卡固定连接,通过内存升高卡将内存从主板的内存插槽中单独接出来,所述内存串联所述电阻,通过量测电阻上电流获得内存的电流,内存的功耗是所述电流与内存的VDD电压的乘积。

本发明的一种测试内存功耗的方法和现有技术相比具有的有益效果是:该测试内存功耗的方法,比以往内存功耗的测试方法精确很多, 并且能够测试内存在不同状态下的功耗数值,能够实测客户在应用时内存的功耗情况,能够横向对比各家内存的功耗情况便于客户选择内存,同时该方法比较简易、易操作、并且高敏度,因此该方法具有较好的实用性,具有较好的推广使用前景。

具体实施方式

下面结合具体实施例,对本发明所述一种测试内存功耗的方法的特点和设计内容,作进一步详细说明。

实施例1:

本实施例所述测试内存功耗的方法,提出了一种内存功耗测试装置,所述内存功耗测试装置包括内存、内存升高卡和电阻,所述内存升高卡设置在主板的内存插槽(DIMM槽)中,所述内存卡与所述内存升高卡固定连接,通过内存升高卡将内存从主板的内存插槽中单独接出来,所述内存串联所述电阻,通过电阻的电流就是通过整个内存的电流值,将通过内存条的电流通过电阻上量测出来,然后与内存的VDD电压进行乘积,能够准确计算内存的功耗。

从上述测试内存功耗的方法的技术方案可知,本实施通过所述内存升高卡(升高内存的治具),可以将内存从内存插槽上单独接出来,方便对测试内存进行电压、电流方面的拉偏测试,并通过内存外接电阻的方法,测试通过单条内存的电流,然后与内存的VDD电压进行乘积,得出单条内存的功耗值。

实施例2:

本实施例所述测试内存功耗的方法,是在实施例1所述测试内存功耗的方法的基础上,进行不同状态下内存功耗的测试。本实施例所述测试内存功耗的方法,是结合系统下的内存压力程序,计算出不同状态下内存功耗的数值。

本实施例所述测试内存功耗的方法,采用memtester软件在不同的压力状态下,测试不同的通过电阻的电流值,再将测试电流值与内存的VDD电压值相乘,即可得到不同压力状态下的实际内存功耗值;或者直接跑客户的应用,就能实际计算出客户应用时内存的功耗。

通过本实施例所述测试内存功耗的方法,测试内存在不同状态下的功耗时,对系统进行不同状态加压,分别采用Idle(空转,在此指压力为零)、,25%压力、50%压力和100%压力的状态下进行内存功耗测试,整个测试步骤包括:第一、在linux系统下安装memtester软件,第二、测试准备,第三、打开终端执行测试,第四、计算不同压力状态下内存功耗。

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