[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶显示面板主要由阵列基板，对向基板，以及位于该两基板之间的液晶分子组成；其中，阵列基板上设置有呈矩阵排列的亚像素单元，每个亚像素单元都设置有薄膜晶体管(TFT)以及与薄膜晶体管相连的像素电极，对向基板上设置有公共电极和与各亚像素单元一一对应的彩色滤光片。

在显示技术迅猛发展的时代背景下，市场对液晶显示面板的要求越来越多，如高分辨率、低成本等。为了迎合市场的需求，多种新的液晶显示面板结构应运而生。而可以提高开口率及实现高分辨率的将彩色滤光片直接设置在阵列基板上(COA，CF on Array)的结构就是其中的一种。

但是COA结构存在黑矩阵(BM)对位的问题，这是因为在阵列基板上制备黑矩阵时一般需要：

步骤1、在预先形成有对位标记2的衬底基板1上沉积黑矩阵膜层3，如图1a所示；

具体地，在形成有对位标记2的衬底基板1上一般还形成有前序工艺形成的薄膜晶体管5、信号线6等的图形。

步骤2、采用构图工艺对黑矩阵膜层3进行处理，形成黑矩阵4的图形，如图1b所示。

具体地，在步骤2采用构图工艺对黑矩阵膜层进行处理时，是以衬底基板上的对位标记为对位标识实现黑矩阵的图形与前序工艺形成的图形的对位。而在现有技术中，采用构图工艺对黑矩阵膜层进行处理时，需要对黑矩阵膜层进行曝光处理。而对黑矩阵膜层进行曝光是在接近式曝光机中进行的，接近式曝光机进行对位采用的是透射光方式，但由于黑矩阵膜层的光密度较高，对位光线无法穿透，因此导致曝光机无法识别位于黑矩阵膜层下方的对位标记。

目前为了解决上述问题，一般采用的方法是变更黑矩阵的材料以及改造曝光机，例如使用在近红外区有一定透过率的黑矩阵材料，并且改造曝光机的对位设备，使其可以利用近红外区光线进行对位。然而该方法生产成本较高，不易推广。

因此，如何提高阵列基板中黑矩阵的图形与前序工艺形成的图形的对位精度，是本领域技术人员需要解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置，用以提高阵列基板中黑矩阵的图形与前序工艺形成的图形的对位精度。

因此，本发明实施例提供的一种阵列的制备方法，包括：

在衬底基板上形成对位标记的图形；

在所述衬底基板上包围所述对位标记所在的区域的预设区域内形成限制层的图形，且所述限制层的图形包围所述对位标记的图形，所述限制层的材料为负性光刻胶材料；

在形成有所述限制层的衬底基板上形成黑矩阵的图形，所述黑矩阵的图形所在的区域与所述限制层和所述对位标记的图形所在的区域无重合区。

较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述的制备方法中，在所述衬底基板上包围所述对位标记所在的区域的预设区域内形成限制层的图形，具体包括：

在形成有所述对位标记的衬底基板上涂布负性光刻胶层；

对所述负性光刻胶层进行曝光处理，且对所述负性光刻胶层进行曝光处理的区域覆盖且大于所述对位标记所在的区域；

对经过曝光处理的负性光刻胶层进行显影处理，形成所述限制层的图形。

较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述的制备方法中，在对负性光刻胶层进行显影处理之后，还包括：

对经过显影处理之后的负性光刻胶层进行烘干处理。

较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述的制备方法中，在对负性光刻胶层进行烘干处理之后，还包括：

采用剥离液对经过烘干处理之后的负性光刻胶层进行清洗处理。

较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述的制备方法中，对所述负性光刻胶层进行曝光处理，具体为：

采用小型紫外灯从所述衬底基板背离所述对位标记的一侧对所述负性光刻胶层进行接近式曝光处理。

较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述的制备方法中，所述负性光刻胶层中包括有含氟添加剂或有机硅添加剂。

较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述的制备方法中，还包括：

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管和信号线的图形；其中，

所述信号线与所述对位标记同层制备。

较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述的制备方法中，在形成所述黑矩阵的图形之后，还包括：