[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，包括：

在衬底基板上形成对位标记的图形；

在所述衬底基板上包围所述对位标记所在的区域的预设区域内形成限制层的图形，且所述限制层的图形包围所述对位标记的图形，所述限制层的材料为负性光刻胶材料；

在形成有所述限制层的衬底基板上形成黑矩阵的图形，所述黑矩阵的图形所在的区域与所述限制层和所述对位标记的图形所在的区域无重合区。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上包围所述对位标记所在的区域的预设区域内形成限制层的图形，具体包括：

在形成有所述对位标记的衬底基板上涂布负性光刻胶层；

对所述负性光刻胶层进行曝光处理，且对所述负性光刻胶层进行曝光处理的区域覆盖且大于所述对位标记所在的区域；

对经过曝光处理的负性光刻胶层进行显影处理，形成所述限制层的图形。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在对负性光刻胶层进行显影处理之后，还包括：

对经过显影处理之后的负性光刻胶层进行烘干处理。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在对负性光刻胶层进行烘干处理之后，还包括：

采用剥离液对经过烘干处理之后的负性光刻胶层进行清洗处理。

5.如权利要求2-4任一项所述的制备方法，其特征在于，对所述负性光刻胶层进行曝光处理，具体为：

采用小型紫外灯从所述衬底基板背离所述对位标记的一侧对所述负性光刻胶层进行接近式曝光处理。

6.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述负性光刻胶层中包括有含氟添加剂或有机硅添加剂。

7.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管和信号线的图形；其中，

所述信号线与所述对位标记同层制备。

8.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，在形成所述黑矩阵的图形之后，还包括：

在形成有所述黑矩阵的衬底基板上依次形成彩色滤光层的图形、第一透明电极的图形、以及与所述第一透明电极相互绝缘的第二透明电极的图形。

9.一种采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板，依次位于所述衬底基板上的对位标记、限制层和黑矩阵；其中，

所述限制层包围所述对位标记，且所述限制层的材料为负性光刻胶材料；

所述黑矩阵所在的区域与所述限制层和所述对位标记所在的区域无重合区。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。