[发明专利]使用SADP技术制造电路布局的方法

权利要求书

1.一种方法，包含:

创造用于集成电路的整体图像布局，该整体图像布局使用自对准双图像化程序(SADP)生产；

辨识在该整体图像化布局中的多个特征，使用该SADP程序无法分解该多个特征，其中，至少第一和第二相邻特征被要求为同色特征；

减少在该第一和第二特征间的间隔，以使该第一特征和该第二特征变为异色特征，从而使用该SADP程序可分解该多个特征；

将具有该异色的第一和第二特征的该整体图像布局分解成芯柱屏蔽图像和块屏蔽图像，其中，该异色的第一和第二特征在其间具有该减少的间隔；

产生第一集合屏蔽数据，其对应于该芯柱屏蔽图像；以及

产生第二集合屏蔽数据，其对应于该块屏蔽图像。

2.如权利要求1所述的方法，还包括提供该第一和第二集合屏蔽数据至屏蔽制造商。

3.如权利要求1所述的方法，其中，减少在该第一和第二相邻特征间的间隔包括将该第一特征的第一边视为固定、以及朝该第二特征移动该第一特征的第二边，以减少该第一和第二特征间的该间隔。

4.如权利要求3所述的方法，其中，当减少在该第一和第二相邻特征间的该间隔时，该第二特征的所有边被视为固定的。

5.如权利要求3所述的方法，其中，减少在该第一和第二相邻特征间的间隔包括将每个该第一和第二特征的第一边视为固定、以及朝彼此移动每个该第一和第二特征的第二边，以减少该第一和第二特征间的该间隔。

6.如权利要求1所述的方法，其中，减少在该第一和第二相邻特征间的间隔包括仅增加该第一和第二特征的一者的尺寸，但保持该第一和第二特征的另一者的尺寸不变，以减少该第一和第二特征间的该间隔。

7.如权利要求1所述的方法，其中，减少在该第一和第二相邻特征间的间隔包括增加该第一和第二特征两者的尺寸，以减少该第一和第二特征间的该间隔。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该同色的第一和第二特征两者皆为芯柱-金属(mandrel-metal,MM)特征。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该同色的第一和第二特征两者皆为非芯柱-金属(non-mandrel-metal,NMM)特征。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该异色的第一和第二特征的一者为芯柱-金属(mandrel-metal,MM)特征，而该异色的第一和第二特征的另一者为非芯柱-金属(non-mandrel-metal,NMM)特征。

11.如权利要求2所述的方法，还包括使用自该屏蔽制造商得到的屏蔽生产集成电路产品，其中，该屏蔽为基于该第一和第二集合屏蔽数据。

12.一种方法，包括:

创造用于集成电路的整体图像布局，该整体图像布局使用自对准双图像化程序(SADP)生产；

辨识在该整体图像化布局中的多个特征，使用该SADP程序无法分解该多个特征，其中，在该多个特征中至少第一和第二相邻特征被要求为同色特征；

减少在该第一和第二相邻特征间的间隔，以使该第一特征和该第二特征变为异色特征，从而使用该SADP程序可分解该多个特征，其中，减少在该第一和第二相邻特征间的间隔包括增加该第一和第二特征的一者的尺寸，但保持该第一和第二特征的另一者的尺寸不变；

将具有该异色的第一和第二特征的该整体图像布局分解成芯柱屏蔽图像和块屏蔽图像，其中，该异色的第一和第二特征在其间具有该减少的间隔；

生成第一集合屏蔽数据，其对应该芯柱屏蔽图像；以及

生成第二集合屏蔽数据，其对应该块屏蔽图像。

13.如权利要求12所述的方法，还包括提供该第一和第二集合屏蔽数据给屏蔽制造商。

14.如权利要求13所述的方法，还包括使用自该屏蔽制造商获得的屏蔽生产集成电路，其中，该屏蔽为基于该第一和第二集合屏蔽数据。

15.如权利要求12所述的方法，其中，减少在该第一和第二相邻特征间的间隔包括将该第一特征的第一边视为固定、以及朝该第二特征移动该第一特征的第二边，以减少该第一和第二特征间的间隔，但该第二特征的所有边被视为固定的。