[发明专利]处理杯清洗方法、基板处理方法以及基板处理装置有效
| 申请号: | 201410493907.6 | 申请日: | 2014-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN104992897B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
| 发明(设计)人: | 樋口鲇美;吉住明日香 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 宋晓宝,向勇 |
| 地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 清洗 方法 以及 装置 | ||
1.一种处理杯清洗方法,对处理杯进行清洗,该处理杯具有以包围基板旋转单元的周围的方式配置的内壁,用于捕获从通过所述基板旋转单元旋转的所述基板飞散的处理液,所述基板旋转单元用于将所述基板保持为水平姿势,并使该基板围绕规定的旋转轴线旋转,其特征在于,包括:
旋转工作步骤,在所述基板旋转单元上保持有基板的状态下,使所述基板旋转单元进行旋转动作;
清洗液供给步骤,与所述旋转工作步骤并行地执行,向所述基板的上表面以及下表面都供给清洗液,使从所述基板的周缘部飞散的清洗液着落在所述处理杯的所述内壁,以向所述处理杯的所述内壁供给清洗液;
飞散方向变更步骤,与所述旋转工作步骤以及所述清洗液供给步骤并行地执行,对从所述基板的周缘部飞散的清洗液的方向进行变更,
所述飞散方向变更步骤包括对向所述基板的上表面以及下表面供给的清洗液的流量比进行变更的流量比变更步骤。
2.如权利要求1所述的处理杯清洗方法,其特征在于,所述飞散方向变更步骤包括对所述基板旋转单元的旋转动作的工作速度进行变更的工作速度变更步骤。
3.如权利要求1或2所述的处理杯清洗方法,其特征在于,在所述清洗液供给步骤中被供给清洗液的所述基板是处理对象的基板。
4.如权利要求1或2所述的处理杯清洗方法,其特征在于,在所述清洗液供给步骤中被供给清洗液的所述基板是仿真基板。
5.一种基板处理方法,
包括:
基板旋转步骤,使被基板旋转单元保持为水平姿势的基板旋转,
处理液供给步骤,与所述基板旋转步骤并行地执行,向所述基板的上表面以及下表面都供给处理液;
通过执行所述处理液供给步骤,从所述基板的周缘部飞散的处理液被处理杯的以包围所述基板旋转单元的周围的方式配置的内壁捕获,而被供给到该内壁,通过向所述内壁供给处理液来对该内壁进行清洗,
该基板处理方法还包括飞散方向变更步骤,该飞散方向变更步骤与所述基板旋转步骤以及所述处理液供给步骤并行地执行,对从所述基板的周缘部飞散的处理液的方向进行变更,
所述飞散方向变更步骤包括对向所述基板的上表面以及下表面供给的清洗液的流量比进行变更的流量比变更步骤。
6.一种基板处理装置,
具有:
基板旋转单元,用于将基板保持为水平姿势,并使该基板围绕规定的旋转轴线旋转;
处理液供给单元,向通过所述基板旋转单元旋转的所述基板供给处理液;
处理杯,具有以包围所述基板旋转单元的周围的方式配置的内壁,用于捕获从被所述基板旋转单元保持的所述基板飞散的处理液;
清洗液上表面供给单元,用于向通过所述基板旋转单元旋转的基板的上表面供给清洗液;
清洗液下表面供给单元,用于向通过所述基板旋转单元旋转的所述基板的下表面供给清洗液;
清洗液流量比调整单元,用于对从所述清洗液上表面供给单元以及所述清洗液下表面供给单元供给的所述清洗液的流量比进行调整;
清洗液供给控制单元,对所述基板旋转单元、所述清洗液上表面供给单元以及所述清洗液下表面供给单元进行控制,使被所述基板旋转单元保持的所述基板旋转,并且向所述基板的上表面以及下表面都供给清洗液,使从所述基板的周缘部飞散的清洗液着落在所述处理杯的所述内壁,以向所述处理杯的所述内壁供给清洗液;
飞散方向变更控制单元,对所述基板旋转单元的旋转速度以及所述清洗液流量比调整单元中的至少一个进行控制,来对从所述基板的周缘部飞散的清洗液的方向进行变更,
所述飞散方向变更控制单元对所述清洗液流量比调整单元进行控制,执行对向所述基板的上表面以及下表面供给的清洗液的流量比进行变更的流量比变更步骤。
7.如权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板旋转单元具有:
旋转基座,能够围绕所述旋转轴线旋转;
多个基板保持构件,设置在所述旋转基座的周缘部,与所述基板的周端面抵接来保持所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





