[发明专利]一种抗软失效存储单元以及锁存器和触发器

权利要求书

1.一种抗软失效存储单元，包括抗软失效电路，其特征在于，所述抗软失效电路的NMOS管均串联一个NMOS管；

分别与所述抗软失效电路的第五MOS管和第六MOS管串联的第九MOS管、第十MOS管的栅极分别与所述抗软失效电路的第三MOS管、第四MOS管的栅极连接；

还包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第六MOS管的漏极，其输出端连接与所述抗软失效电路的第七MOS管串联的NMOS管的栅极；所述第二反相器的输入端连接所述第五MOS管的漏极，其输出端连接与所述抗软失效电路的第八MOS管串联的NMOS管的栅极；

所述抗软失效电路包括四个上拉PMOS管，称为第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；所述第一MOS管、第二MOS管通过交叉耦合连接形成交叉耦合上拉PMOS管，所述第三MOS管、第四MOS管的栅极分别与所述第一MOS管、第二MOS管的漏极连接；

所述抗软失效电路还包括四个下拉NMOS管，称为第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管；所述四个下拉NMOS管串联的NMOS管的源极均接地；

所述第五MOS管、第六MOS管通过交叉耦合连接形成交叉耦合下拉NMOS管，所述第七MOS、第八MOS的栅极分别与所述第六MOS管、第五MOS管的栅极连接；所述第七MOS管、第八MOS管的漏极分别与所述第一MOS管、第二MOS管的漏极连接；所述第三MOS、第四MOS的漏极分别与所述第五MOS、第六MOS的漏极连接。

2.一种触发器，其特征在于，包括抗软失效存储单元，所述抗软失效存储单元包括抗软失效电路；所述抗软失效电路的NMOS管均串联一个NMOS管；

分别与所述抗软失效电路的第五MOS管和第六MOS管串联的第九MOS管、第十MOS管的栅极分别与所述抗软失效电路的第三MOS管、第四MOS管的栅极连接；

还包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第六MOS管的漏极，其输出端连接与所述抗软失效电路的第七MOS管串联的NMOS管的栅极；所述第二反相器的输入端连接所述第五MOS管的漏极，其输出端连接与所述抗软失效电路的第八MOS管串联的NMOS管的栅极；

所述抗软失效电路包括四个上拉PMOS管，称为第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；

所述第一MOS管、第二MOS管通过交叉耦合连接形成交叉耦合上拉PMOS管，所述第三MOS管、第四MOS管的栅极分别与所述第一MOS管、第二MOS管的漏极连接；

所述抗软失效电路还包括四个下拉NMOS管，称为第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管；所述四个下拉NMOS管串联的NMOS管的源极均接地；

所述第五MOS管、第六MOS管通过交叉耦合连接形成交叉耦合下拉NMOS管，所述第七MOS、第八MOS的栅极分别与所述第六MOS管、第五MOS管的栅极连接；所述第七MOS管、第八MOS管的漏极分别与所述第一MOS管、第二MOS管的漏极连接；所述第三MOS、第四MOS的漏极分别与所述第五MOS、第六MOS的漏极连接。

3.一种锁存器，其特征在于，包括抗软失效存储单元，所述抗软失效存储单元包括抗软失效电路；所述抗软失效电路的NMOS管均串联一个NMOS管；

分别与所述抗软失效电路的第五MOS管和第六MOS管串联的第九MOS管、第十MOS管的栅极分别与所述抗软失效电路的第三MOS管、第四MOS管的栅极连接；

还包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第六MOS管的漏极，其输出端连接与所述抗软失效电路的第七MOS管串联的NMOS管的栅极；所述第二反相器的输入端连接所述第五MOS管的漏极，其输出端连接与所述抗软失效电路的第八MOS管串联的NMOS管的栅极；所述抗软失效电路包括四个上拉PMOS管，称为第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；所述第一MOS管、第二MOS管通过交叉耦合连接形成交叉耦合上拉PMOS管，所述第三MOS管、第四MOS管的栅极分别与所述第一MOS管、第二MOS管的漏极连接；

所述抗软失效电路还包括四个下拉NMOS管，称为第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管；所述四个下拉NMOS管串联的NMOS管的源极均接地；

所述第五MOS管、第六MOS管通过交叉耦合连接形成交叉耦合下拉NMOS管，所述第七MOS、第八MOS的栅极分别与所述第六MOS管、第五MOS管的栅极连接；所述第七MOS管、第八MOS管的漏极分别与所述第一MOS管、第二MOS管的漏极连接；所述第三MOS、第四MOS的漏极分别与所述第五MOS、第六MOS的漏极连接。