[发明专利]灵敏放大器以及存储器

权利要求书

1.一种灵敏放大器，包括：

控制单元，接收一输入信号和一时钟信号，在所述时钟信号为高电位时，所述控制单元输出一与所述输入信号相同的控制信号，在所述时钟信号为低电位时，所述控制单元不输出所述控制信号；

变换器，将所述控制信号转换为相反的反相控制信号；

第一电流镜单元，所述第一电流镜单元的输入端连接一第一参考节点，所述第一电流镜单元的输出端连接一第一输出节点；

第一分压单元，接收所述控制信号，在所述控制信号为高电位时，拉低所述第一输出节点的电压；

第二分压单元，接收所述反相控制信号，在所述反相控制信号为低电位时，所述第一参考节点充电；

第二电流镜单元，所述第二电流镜单元的输入端连接一第二参考节点，所述第二电流镜单元的输出端连接一第二输出节点；

第三分压单元，接收所述控制信号，在所述控制信号为高电位时，拉低所述第二输出节点的电压；

第四分压单元，接收所述反相控制信号，在所述反相控制信号为低电位时，所述第二参考节点充电；

第一预充电单元，接收所述时钟信号，在所述时钟信号为低电位时，所述第一预充电单元对所述第一输出节点充电；以及

第二预充电单元，接收所述时钟信号，在所述时钟信号为低电位时，所述第二预充电单元对所述第二输出节点充电。

2.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一预充电单元包括一第一PMOS管，所述第一PMOS管的栅极接收所述时钟信号，所述第一PMOS管的源极接工作电压，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一输出节点。

3.如权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第二预充电单元包括一第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极接收所述时钟信号，所述第二PMOS管的源极接工作电压，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二输出节点。

4.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一电流镜单元包括一第三PMOS管和一第四PMOS管，所述第三PMOS管和第四PMOS管的栅极相连后，连接所述第一参考节点，所述第三PMOS管的源极接工作电压，所述第三PMOS管的漏极连接所述第一输出节点，所述第四PMOS管的源极接工作电压，所述第四PMOS管的漏极连接所述第一参考节点。

5.如权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第二电流镜单元包括第五PMOS管和第六PMOS管，所述第五PMOS管和第六PMOS管的栅极相连后，连接所述第二参考节点，所述第五PMOS管的源极接工作电压，所述第五PMOS管的漏极连接所述第二输出节点，所述第六PMOS管的源极接工作电压，所述第六PMOS管的漏极连接所述第二参考节点。

6.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一分压单元包括一第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极接收所述控制信号，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接所述第一输出节点。

7.如权利要求6所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第二分压单元包括一第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极接收所述反相控制信号，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极连接所述第一参考节点。

8.如权利要求7所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第三分压单元包括一第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极接收所述控制信号，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极连接所述第二输出节点。

9.如权利要求8所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第四分压单元包括一第四NMOS管，所述第四NMOS管的栅极接收所述反相控制信号，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的漏极连接所述第二参考节点。