[发明专利]梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法

权利要求书

1.一种基于超亲水-疏水特性的梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法，其特征在于，包括：

步骤1、在载体表面形成具有梯度的烟灰层；

步骤2、在所述具有梯度的烟灰层表面形成SiO₂纳米膜层；

步骤3、利用疏水材料对SiO₂纳米膜层进行修饰以形成疏水化的SiO₂纳米膜层；

步骤4、在所述疏水化的SiO₂纳米膜层上覆盖光掩膜，经紫外光照射即在SiO₂纳米膜层表面以形成超亲水-疏水的微流体。

2.根据权利要求1所述基于超亲水-疏水特性的梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法，其特征在于，所述步骤1之前还包括：

对载体表面进行清洗并用氮气吹干。

3.根据权利要求1所述基于超亲水-疏水特性的梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法，其特征在于，所述步骤1具体为：

将载体倾斜15°～60°放置在蜡烛火焰上方0.5cm处2～6秒，以在所述载体表面形成烟灰层。

4.根据权利要求1所述基于超亲水-疏水特性的梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法，其特征在于，所述步骤2具体为：

将盛有试剂的容器与步骤1得到的样品一起放置在密闭干燥器中，在相对湿度为60％RH且环境温度为30℃的鼓风干燥箱中进行水解，利用化学气相沉积的方法，在所述具有梯度的烟灰层表面形成SiO₂纳米膜层；其中所述试剂为分别盛有相同体积的正硅酸乙酯和氨水的两个容器，或盛有四氯化硅的容器。

5.根据权利要求1所述基于超亲水-疏水特性的梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法，其特征在于，所述步骤2与步骤3之间还包括：

对载体经400～600℃热处理1～3小时后冷却。

6.根据权利要求1所述基于超亲水-疏水特性的梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法，其特征在于，所述疏水材料为Cl₃Si(CH₂)_nCH₃，其中n＝8 至16。

7.根据权利要求6所述基于超亲水-疏水特性的梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法，其特征在于，所述步骤3具体为：

将载体在3～10mmol的疏水材料中浸泡15～60分钟后取出，利用乙醇溶液清洗，并70～100℃下固定干燥5～10分钟，得到所述疏水化的SiO₂纳米膜层。

8.根据权利要求1所述基于超亲水-疏水特性的梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法，其特征在于，所述光掩膜为纸或塑料膜，且通过激光刻蚀得到图案，超亲水-疏水微流体通道宽度设置为100～1000μm。

9.根据权利要求1所述基于超亲水-疏水特性的梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法，其特征在于，其中载体由玻璃、石英、硅、陶瓷或金属形成。