[发明专利]晶粒选择方法及坏晶地图产生方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种晶粒选择方法，且特别是有关于一种发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)晶粒的晶粒选择方法及坏晶地图产生方法。

背景技术

目前常见应用于LED晶粒的处理包括下列步骤：点测(probing)、自动化光学检测(Automated Optical Inspection，简称AOI)、分选(sorting)、人工目检及坏晶挑除。

点测是指对LED晶粒的光电特性进行测试。自动化光学检测是通过自动化光学检测机来观测晶粒的外观是否有损伤。分选是依照点测及自动化光学检测所获得的结果将好的晶粒(即外观损伤程度较低的晶粒)依照光学特性转移到分选载体(sort page)，其例如是具有粘性的蓝膜。人工目检则是通过人工及显微镜来逐一地观测在分选载体上的所有晶粒的外观是否有损伤。坏晶挑除则是依照人工目检的人为判断来人工挑除有损伤的晶粒。

值得注意的是，在人工目检以前的任何过程中，晶粒的外观都可能受到程度不一的损伤。因此，在人工目检的步骤中，依照人为判断来判定此晶粒是有损伤的。然而，当晶粒是否有损伤完全依赖人为判断时，晶粒损伤与否很难有统一标准。也因此，人工目检严重地影响到晶粒选择的均一性。

发明内容

本发明提供一种晶粒选择方法及坏晶地图产生方法。

本发明提供一种晶粒选择方法，以消除人为判断对于晶粒外观损伤程度判定的不确定性。

本发明提供一种坏晶地图产生方法，以作为挑除坏晶(即有损伤的晶粒)的参考。

本发明的晶粒选择方法包括下列步骤。点测多个晶粒，以测量这些晶粒的光电特性。将具有相近光电特性的这些晶粒转移至分选载体。通过自动化光学检测设备来观测在分选载体上的这些晶粒，以产生观测结果，其中观测结果包括这些晶粒在分选载体上的位置及这些晶粒是否有损伤。依照观测结果描绘坏晶地图，其中坏晶地图具有至少一坏晶标记，通过显示装置以图像形式标示出这些晶粒中有损伤者的位置。依照坏晶地图的坏晶标记来挑除这些晶粒中有损伤者。

本发明的坏晶地图产生方法包括下列步骤。通过自动化光学检测设备来观测在分选载体上的多个晶粒，以产生观测结果，其中观测结果包括这些晶粒的位置及这些晶粒是否损伤。依照观测结果描绘坏晶地图，其中坏晶地图具有至少一坏晶标记，通过显示装置以图像形式标示出这些晶粒中有损伤者的位置。

基于上述，在本发明中，将机器观测的步骤移至分选的步骤之后，以取代现有的人工目检步骤，故可消除人为判断对于晶粒损伤判定的不确定性，因而提高晶粒损伤判定的一致性，同时省去人工目检的时间成本。此外，在本发明中，增加了描绘坏晶地图的步骤，而坏晶地图则应用作为挑除坏晶(有损伤晶粒)时的参考。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明的一实施例的一种晶粒选择方法的流程图；

图2示出图1的晶粒选择方法所使用的分选载体及其上的晶粒的示意图；

图3示出图1的晶粒选择方法所使用的坏晶地图的示意图；

图4示出图2及图3的分选载体及其上的晶粒与坏晶地图相互重叠的示意图；

图5示出图1的晶粒选择方法所使用的另一种分选载体及其上的晶粒的示意图；

图6示出图1的晶粒选择方法所使用的另一种坏晶地图的示意图；

图7示出图5及图6的分选载体及其上的晶粒与坏晶地图相互重叠的示意图。

附图标记说明：

100：分选载体；

100a：框体；

100b：蓝膜；

102：晶粒；

102a：首颗晶粒；

108：载体定位标记；

200：坏晶地图；

201：首晶标记；

202：坏晶标记；

204：方向标记；

206：条码标记；

208：地图定位标记；

S110～S150：步骤。

具体实施方式

本实施例的晶粒选择方法包括下列步骤：点测、分选、机器观测、坏晶地图(bad die map)描绘及坏晶挑除。值得注意的是，在本实施例中，将机器观测的步骤移至分选的步骤之后，以取代现有的人工目检步骤，故可消除人为判断对于晶粒损伤判定的不确定性。此外，增加了描绘坏晶地图的步骤，而坏晶地图则应用作为挑除坏晶(有损伤晶粒)时的参考。