[发明专利]晶粒选择方法及坏晶地图产生方法有效

专利信息
申请号: 201410486306.2 申请日: 2014-09-22
公开(公告)号: CN104637833B 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 蔡振扬;廖惇材;周明澔;杨上毅;吴佳兴 申请(专利权)人: 旺矽科技股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/67;H01L33/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 臧建明
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 晶粒 选择 方法 地图 产生
【权利要求书】:

1.一种晶粒选择方法,其特征在于,包括:

点测多个晶粒,以测量所述多个晶粒的光电特性;

将所述多个晶粒依照所述多个晶粒的光电特性转移至分选载体;

通过自动化光学检测设备来观测在所述分选载体上的所述多个晶粒,以产生观测结果,其中所述观测结果包括所述多个晶粒在所述分选载体上的位置及所述多个晶粒是否有损伤;

依照所述观测结果描绘坏晶地图,其中所述坏晶地图具有至少一坏晶标记,通过显示装置以图像形式标示出所述多个晶粒中有损伤者的位置;以及

依照所述坏晶地图的所述坏晶标记来挑除所述多个晶粒中有损伤者。

2.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,在描绘所述坏晶地图的步骤中,通过所述自动化光学检测设备依照所述观测结果描绘坏晶地图。

3.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,在描绘所述坏晶地图的步骤中,通过电子装置依照所述观测结果描绘坏晶地图。

4.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,所述坏晶地图具有方向标记,以对应在所述分选载体上的所述多个晶粒的方向。

5.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,所述坏晶地图具有条码标记,以对应在所述分选载体上的所述多个晶粒的编号。

6.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,所述分选载体具有多个载体定位标记,所述坏晶地图具有多个地图定位标记,而所述多个地图定位标记对应于所述多个载体定位标记。

7.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,依照所述坏晶地图挑除所述多个晶粒中有损伤者的步骤包括:

重叠所述坏晶地图与所述分选载体,以使所述坏晶标记对准至其所对应有损伤的所述晶粒;以及

将所述坏晶标记所对准的所述晶粒移除。

8.根据权利要求7所述的晶粒选择方法,其特征在于,重叠所述坏晶地图与所述分选载体的步骤包括:

通过所述显示装置以图像形式将所述坏晶地图投射在所述分选载体上。

9.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,所述显示装置为平面显示器或投影机。

10.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,所述显示装置为触控平面显示器。

11.一种坏晶地图产生方法,其特征在于,包括:

点测多个晶粒,以测量所述多个晶粒的光电特性;

将所述多个晶粒依照光电特性转移至分选载体;

通过自动化光学检测设备来观测在分选载体上的多个晶粒,以产生观测结果,其中所述观测结果包括所述多个晶粒的位置及所述多个晶粒是否损伤;以及

依照所述观测结果描绘坏晶地图,其中所述坏晶地图具有至少一坏晶标记,通过显示装置以图像形式标示出所述多个晶粒中有损伤者的位置。

12.根据权利要求11所述的坏晶地图产生方法,其特征在于,在描绘所述坏晶地图的步骤中,通过所述自动化光学检测设备依照所述观测结果描绘坏晶地图。

13.根据权利要求11所述的坏晶地图产生方法,其特征在于,在描绘所述坏晶地图的步骤中,通过电子装置依照所述观测结果描绘坏晶地图。

14.根据权利要求11所述的坏晶地图产生方法,其特征在于,所述坏晶地图具有方向标记,以对应在所述分选载体上的所述多个晶粒的方向。

15.根据权利要求11所述的坏晶地图产生方法,其特征在于,所述坏晶地图具有条码标记,以对应在所述分选载体上的所述多个晶粒的编号。

16.根据权利要求11所述的坏晶地图产生方法,其特征在于,所述分选载体具有多个载体定位标记,所述坏晶地图具有多个地图定位标记,而所述多个地图定位标记对应于所述多个载体定位标记。

17.一种坏晶地图产生方法,其特征在于,包括:

通过自动化光学检测设备来观测在分选载体上的多个晶粒,以产生观测结果,其中所述观测结果包括所述多个晶粒的位置及所述多个晶粒是否损伤,所述分选载体具有多个载体定位标记;以及

依照所述观测结果描绘坏晶地图,其中所述坏晶地图具有至少一坏晶标记,通过显示装置以图像形式标示出所述多个晶粒中有损伤者的位置,所述坏晶地图具有多个地图定位标记,而所述多个地图定位标记对应于所述多个载体定位标记。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺矽科技股份有限公司,未经旺矽科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410486306.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top