[发明专利]晶粒选择方法及坏晶地图产生方法有效
申请号: | 201410486306.2 | 申请日: | 2014-09-22 |
公开(公告)号: | CN104637833B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 蔡振扬;廖惇材;周明澔;杨上毅;吴佳兴 | 申请(专利权)人: | 旺矽科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01L33/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 选择 方法 地图 产生 | ||
1.一种晶粒选择方法,其特征在于,包括:
点测多个晶粒,以测量所述多个晶粒的光电特性;
将所述多个晶粒依照所述多个晶粒的光电特性转移至分选载体;
通过自动化光学检测设备来观测在所述分选载体上的所述多个晶粒,以产生观测结果,其中所述观测结果包括所述多个晶粒在所述分选载体上的位置及所述多个晶粒是否有损伤;
依照所述观测结果描绘坏晶地图,其中所述坏晶地图具有至少一坏晶标记,通过显示装置以图像形式标示出所述多个晶粒中有损伤者的位置;以及
依照所述坏晶地图的所述坏晶标记来挑除所述多个晶粒中有损伤者。
2.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,在描绘所述坏晶地图的步骤中,通过所述自动化光学检测设备依照所述观测结果描绘坏晶地图。
3.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,在描绘所述坏晶地图的步骤中,通过电子装置依照所述观测结果描绘坏晶地图。
4.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,所述坏晶地图具有方向标记,以对应在所述分选载体上的所述多个晶粒的方向。
5.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,所述坏晶地图具有条码标记,以对应在所述分选载体上的所述多个晶粒的编号。
6.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,所述分选载体具有多个载体定位标记,所述坏晶地图具有多个地图定位标记,而所述多个地图定位标记对应于所述多个载体定位标记。
7.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,依照所述坏晶地图挑除所述多个晶粒中有损伤者的步骤包括:
重叠所述坏晶地图与所述分选载体,以使所述坏晶标记对准至其所对应有损伤的所述晶粒;以及
将所述坏晶标记所对准的所述晶粒移除。
8.根据权利要求7所述的晶粒选择方法,其特征在于,重叠所述坏晶地图与所述分选载体的步骤包括:
通过所述显示装置以图像形式将所述坏晶地图投射在所述分选载体上。
9.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,所述显示装置为平面显示器或投影机。
10.根据权利要求1所述的晶粒选择方法,其特征在于,所述显示装置为触控平面显示器。
11.一种坏晶地图产生方法,其特征在于,包括:
点测多个晶粒,以测量所述多个晶粒的光电特性;
将所述多个晶粒依照光电特性转移至分选载体;
通过自动化光学检测设备来观测在分选载体上的多个晶粒,以产生观测结果,其中所述观测结果包括所述多个晶粒的位置及所述多个晶粒是否损伤;以及
依照所述观测结果描绘坏晶地图,其中所述坏晶地图具有至少一坏晶标记,通过显示装置以图像形式标示出所述多个晶粒中有损伤者的位置。
12.根据权利要求11所述的坏晶地图产生方法,其特征在于,在描绘所述坏晶地图的步骤中,通过所述自动化光学检测设备依照所述观测结果描绘坏晶地图。
13.根据权利要求11所述的坏晶地图产生方法,其特征在于,在描绘所述坏晶地图的步骤中,通过电子装置依照所述观测结果描绘坏晶地图。
14.根据权利要求11所述的坏晶地图产生方法,其特征在于,所述坏晶地图具有方向标记,以对应在所述分选载体上的所述多个晶粒的方向。
15.根据权利要求11所述的坏晶地图产生方法,其特征在于,所述坏晶地图具有条码标记,以对应在所述分选载体上的所述多个晶粒的编号。
16.根据权利要求11所述的坏晶地图产生方法,其特征在于,所述分选载体具有多个载体定位标记,所述坏晶地图具有多个地图定位标记,而所述多个地图定位标记对应于所述多个载体定位标记。
17.一种坏晶地图产生方法,其特征在于,包括:
通过自动化光学检测设备来观测在分选载体上的多个晶粒,以产生观测结果,其中所述观测结果包括所述多个晶粒的位置及所述多个晶粒是否损伤,所述分选载体具有多个载体定位标记;以及
依照所述观测结果描绘坏晶地图,其中所述坏晶地图具有至少一坏晶标记,通过显示装置以图像形式标示出所述多个晶粒中有损伤者的位置,所述坏晶地图具有多个地图定位标记,而所述多个地图定位标记对应于所述多个载体定位标记。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造