[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一导电型的第一半导体区域；

第二导电型的第二半导体区域，其配置于所述第一半导体区域之上；

第一导电型的第三半导体区域，其配置于所述第二半导体区域之上；

第二导电型的第四半导体区域，其配置于所述第三半导体区域之上；

绝缘膜，其配置于从所述第四半导体区域的上表面延伸并贯通所述第四半导体区域以及所述第三半导体区域而到达所述第二半导体区域的槽的内壁上；

控制电极，其在所述槽的侧面配置于所述绝缘膜上，并与所述第三半导体区域对置；

第一主电极，其与所述第一半导体区域电连接；以及

第二主电极，其与所述第四半导体区域电连接，

所述槽的宽度相对于所述第三半导体区域的与所述第二主电极接触的宽度之比为1以上，

所述半导体装置具有连接槽，所述连接槽在包围活性区域的外周区域内在所述槽的排列方向上延伸，所述连接槽是遍及整体而比相邻的所述槽的间隔宽的槽宽，并且是3μm～20μm的槽宽，

所述第四半导体区域不沿着所述连接槽设置，

在所述连接槽的下方且在所述第二半导体区域的下方的区域中设置有所述第一半导体区域。

2.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一导电型的第一半导体区域；

第二导电型的第二半导体区域，其配置于所述第一半导体区域之上；

第一导电型的第三半导体区域，其配置于所述第二半导体区域之上；

第二导电型的第四半导体区域，其配置于所述第三半导体区域之上；

绝缘膜，其配置于从所述第四半导体区域的上表面延伸并贯通所述第四半导体区域以及所述第三半导体区域而到达所述第二半导体区域的槽的内壁上；

控制电极，其在所述槽的侧面配置于所述绝缘膜上，并与所述第三半导体区域对置；

第一主电极，其与所述第一半导体区域电连接；以及

第二主电极，其与所述第四半导体区域电连接，

所述第二半导体区域与所述第三半导体区域的界面延长上的所述槽的总面积相对于所述第三半导体区域的与所述第二主电极接触的区域的总面积之比为1以上，

所述半导体装置具有连接槽，所述连接槽在包围活性区域的外周区域内在所述槽的排列方向上延伸，所述连接槽是遍及整体而比相邻的所述槽的间隔宽的槽宽，并且是3μm～20μm的槽宽，

所述第四半导体区域不沿着所述连接槽设置，

在所述连接槽的下方且在所述第二半导体区域的下方的区域中设置有所述第一半导体区域。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述槽由并列配置的多个槽构成，相邻的所述多个槽通过所述连接槽而相互连接，所述连接槽形成为从所述第三半导体区域的上表面延伸并贯通所述第三半导体区域而到达所述第二半导体区域。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述槽由并列配置的多个槽构成，相邻的所述多个槽通过所述连接槽而相互连接，所述连接槽从所述第三半导体区域的上表面延伸并贯通所述第三半导体区域而到达所述第二半导体区域，且在所述多个槽的排列方向上延伸，与所述多个槽中的排列于排列的最外侧的槽的端部连接。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述槽由并列配置的多个槽构成，相邻的所述多个槽通过所述连接槽而相互连接，所述连接槽具有与所述多个槽的一侧端部连接的第一连接槽和与所述多个槽的另一侧端部连接的第二连接槽，所述第一连接槽与所述第二连接槽分别从所述第三半导体区域的上表面延伸并贯通所述第三半导体区域而到达所述第二半导体区域，且在所述多个槽的排列方向上延伸，与所述多个槽中的排列于排列的最外侧的槽的端部连接，在俯视观察时，所述多个槽配置于所述第一连接槽与所述第二连接槽相对置的区域中。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述槽由并列配置的多个槽构成，相邻的所述多个槽通过所述连接槽而相互连接，所述连接槽形成为从所述第三半导体区域的上表面延伸并贯通所述第三半导体区域而到达所述第二半导体区域。