[发明专利]一种北缬草组织培养繁殖方法有效
申请号: | 201410482874.5 | 申请日: | 2014-09-22 |
公开(公告)号: | CN104304004B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 张鑫;宋经元;辛天怡;陈士林 | 申请(专利权)人: | 中国医学科学院药用植物研究所 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100193 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缬草 组织培养 繁殖 方法 | ||
技术领域
本发明属于植物组织培养繁殖技术领域,具体地,涉及败酱科缬草属药用植物北缬草(Valeriana fauriei Briq.)组织培养繁殖方法。
背景技术
北缬草(Valeriana fauriei Briq.)为败酱科Valerianaceae缬草属(Valeriana)野生多年生草本植物。缬草性平味辛,具有镇静安神、解痉止痛的功效,根茎被作为镇静药应用已有上千年。北缬草为缬草属植物中的代表,分布于东北地区(黑龙江、吉林、辽宁)和华东地区(江苏、安徽、浙江、江西、台湾),并西向河南、陕西等地延伸。北缬草生于海拔2000m以下的山坡草甸、林间湿地、林缘路旁。目前,北缬草的药理作用、化学成分已得到不同程度的研究。有关北缬草专利产品的报导日益增多,该植物的药用价值已受到高度重视。我国大兴安岭地区野生北缬草资源较丰富,但过度开发利用对资源及环境造成破坏。而目前我国对于北缬草资源保护的研究尚处于起步阶段,仅少量研究报道。
在我国,对于北缬草的获取主要还是依赖于野生北缬草资源。然而,野生北缬草种子多数不育,自然发芽率较低,人工变温处理催芽,发芽率最高仅为50%。此外北缬草种子细小,人工收集费时费力,且大田栽培生产周期较长,占用耕地,易受气候、病虫害的影响。利用根茎移栽虽成活率高,但繁殖系数低,在大规模栽培种不适用。利用生物技术进行中药资源快速繁殖并实现大规模生产已成为一个新的发展方向。目前,对于缬草属植物的组培研究还很少,有利用子叶无菌条件下诱导芽簇的报道,同时,仅从V.officinalis叶片中诱导获得不定根,还未有对北缬草进行快速繁殖的研究报道。
发明内容
本发明旨在缓解野生北缬草资源紧缺和过度采挖破坏生态平衡的问题,提供一种北缬草组织培养繁殖方法。该方法能加快北缬草的繁殖速度,有利于扩大生产规模。
本发明的目的是通过以下技术措施来实现的:一种北缬草(Valeriana fauriei Briq.)组织培养繁殖方法,包括以下步骤:
(1)外植体诱导:取北缬草幼嫩的茎段作为外植体,进行无菌处理,接种于启动培养基培养至获得不定芽;
(2)继代增殖培养:将步骤(1)中形成的不定芽在无菌条件下切下,接种至增殖培养基上进行增殖;
(3)生根培养:将步骤(2)所得不定芽在无菌条件下分离并接种至生根培养基中进行根诱导和壮苗,得到完整的组培苗;
(4)组培苗移栽:将步骤(3)中的健壮的组培苗加入少量无菌水,半开盖培养5~10天,再全开盖培养5~10天;将组培苗从培养瓶中取出,洗净根部培养基,栽入由蛭石和营养土按1∶1~1∶3的比例混合成的培养基质中炼苗培育成健壮的幼苗;
其中,步骤(1)中启动培养基为0.2~1.0mg/L 6-BA、0.01~0.02mg/L IBA和8g/L琼脂的pH为5.8的MS培养基;
其中,步骤(2)中增殖培养基为0.2~1.0mg/L 6-BA、0.01~0.02mg/L IBA和8g/L琼脂的pH为5.8的MS培养基;
其中,步骤(3)中培养基为0.1~0.5mg/L IBA和8g/L琼脂的pH为5.8的1/2MS培养基。
优选地,上述方法还包括步骤(1)中外植体除菌处理的方法为:用自来水冲洗15~25min,用60~80%乙醇消毒30~90s,用0.5~1.5%次氯酸钠溶液消毒10~20min后取出,用无菌水冲洗3~5次,用灭菌后的滤纸吸干表面水分,得到无菌北缬草外植体。
优选地,上述方法还包括步骤(1)、步骤(2)与步骤(3)中培养条件:2~5%蔗糖、0.5~2%琼脂,pH5~6,培养温度为20~30℃,光照时间12~20h·d-1,光照2500~4000lux。
更优选地,上述方法还包括步骤(1)、步骤(2)与步骤(3)中培养条件:3~4%蔗糖、0.5~1%琼脂,pH5.5~6,培养温度为24~26℃,光照时间15~18h·d-1,光照3000lux。
更优选地,一种北缬草的组织培养繁殖方法,包括以下步骤:
(1)外植体诱导:将幼嫩的茎段用自来水冲洗20min,用70%乙醇消毒1min,用1%次氯酸钠溶液消毒15min后取出,用无菌水冲洗3~5次,接种于培养基上培养,置于光照3000lux,光照时间16h·d-1,温度为25±1℃下培养;
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