[发明专利]用于从载体中分离晶片的装置和方法有效
| 申请号: | 201410479471.5 | 申请日: | 2010-03-16 |
| 公开(公告)号: | CN104362112B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
| 发明(设计)人: | E.塔尔纳 | 申请(专利权)人: | EV集团有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 肖日松 |
| 地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 载体 分离 晶片 装置 方法 | ||
本申请是于2010年3月16日提交的已进入中国国家阶段的PCT专利申请(中国国家申请号为201080013539.0,国际申请号为PCT/EP2010/001630,发明名称“用于从载体中分离晶片的装置和方法”)的分案申请。
技术领域
本发明涉及用于将晶片从载体中分离(Abloesen)的装置和方法。
背景技术
晶片的背面减薄(Rueckduennen)在半导体工业中经常是必需的,并且可机械地和/或化学地来实现。为了背面减薄,晶片通常暂时地固定在载体上,其中对于固定存在不同的方法。例如可使用薄片、玻璃基层或硅晶片作为载体材料。
根据所使用的载体材料和所使用的在载体与晶片之间的连接层,已知用于溶解或破坏连接层的不同的方法,例如使用紫外光,激光光束、温度效应或溶剂。
分离越来越作为最重要的工艺步骤中的一个示出,这是因为带有几μm的基层厚度的薄的基层(Substrate)在分离/取出时易于折断或者由于对于分离的过程所必需的力而遭受损伤。
此外,薄的基层几乎不具有形状稳定性并且典型地无支撑材料地卷起。因此,在背面减薄的晶片的手动操作期间,晶片的固定和支撑实际上是不可避免的。
文件DE 10 2006 032 488 B4描述了一种用于借助于激光加热连接材料的方法,其中,连接材料的连接效果通过与此相联系的温度显著升高到400至500°C来消除。因此,虽然整个晶片堆的加热的问题被解决(参见那里:[0021])。但是,至少边缘区域和由于晶片材料的良好的热的传导还有相邻于边缘区域的区域经受了显著的温度升高。在此,所产生的温度梯度也是成问题的。
发明内容
由此,本发明的目的是说明一种装置和一种方法,以便尽可能无损坏地将晶片从载体中解开。
本目的通过本发明的特征来实现。本发明的有利的改进方案在从属权利要求中说明。在说明书、权利要求和/或附图所说明的特征中的至少两个的所有的组合也落在本发明的框架中。在所说明的值范围中,处于所提到的边界内的值也应公开为边界值并且可以以任意的组合要求权利。
本发明的构思在于规定一种装置,利用其能够在温度小于350°C的情况下进行分离。已证实的是,处于350°C之上的温度范围对于晶片正好可能为有损害的。此外对于更高的温度需要更多的能量,从而根据本发明的装置需要更少的能量,以便从载体中解开晶片。
相应地,用于将晶片从通过连接层与晶片相连接的载体中分离的根据本发明的装置通过以下特征来标识:
- 用于接收由载体和晶片构成的载体晶片复合体的接收装置,
- 用于解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接的解开连接器件(Verbindungsloesemittel)和
- 用于从载体中分离晶片或者用于从晶片中分离载体的分离器件,
其中,解开连接器件构造成在0至350°C的、尤其在10至200°C的、优选地20至80°C的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。
此外根据本发明设置有一种将晶片从通过连接层与晶片相连接的载体中分离的方法,其可具有以下步骤:
- 在接收装置上接收由载体和晶片构成的载体晶片复合体,
- 通过解开连接器件解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接以及
- 通过分离器件从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体,
其中,解开连接器件在直至350°C的、尤其10至200°C的、优选地20至80°C的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。
对晶片理解为产品基层(Produktsubstrat),例如半导体晶片,其通常变薄到在0.5μm与250μm之间的厚度,其中,趋势为产品基层越来越薄。
作为载体,例如应用带有在50μm与5000μm之间的厚度的载体基层。
粘胶、例如可松开的粘胶、尤其热塑性塑料可以考虑作为连接层,其例如选择性地被施加在载体晶片复合体的边缘区域中、尤其在0.1至20mm的边缘区域中。替代地,粘胶可整个面地来施加,其中,中心的粘结力可通过降低粘附的层、例如聚氟物、优选地特氟龙来降低。
特别夹盘(Chuck)、尤其用于接收载体晶片复合体的旋转夹盘适合作为接收装置,尤其借助于负压,例如吸道(Saugbahn)、孔或吸盘(Saugnapf)。替代地,机械的接收部(例如通过侧面的夹子)是可考虑的。
上方的基层接收部(例如释放夹盘(Release-chuck))可用作分离器件,优选地通过负压加载,例如吸道、孔或吸盘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于EV集团有限责任公司,未经EV集团有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410479471.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种LED刻蚀机托盘结构
- 下一篇:一种OLED显示面板的封装方法及封装设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





