[发明专利]一种N型局域铝背晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种N型局域背结晶体硅太阳能电池，其特征在于：以N型硅片作为基体，从上至下依次叠层银电极、氮化硅减反膜、磷扩散层、硅基体、钝化膜、铝层和发射结；所述钝化膜上设有点阵列或者线阵列图形，铝浆烧结形成的发射结透过钝化膜上的图形与硅基体局域接触。

2.根据权利要求1所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述钝化膜（5）为氧化铝和氮化硅叠层钝化膜。

3.根据权利要求1所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述N型硅片的电阻率为0.5-12 ohm·cm。

4.一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）硅片去损伤并制绒；

（2）硅片正面磷扩散；

（3）利用扩散自然形成的磷硅玻璃作为硅片正面掩膜，硅片背面抛光，同时，去除硅片正面制绒面的磷硅玻璃并进行清洗；

（4）硅片背面生长氧化铝作为钝化膜；

（5）硅片正面采用氮化硅（2）作为减反膜；

（6）硅片背面生长氮化硅作为钝化膜；

（7）硅片背面利用激光在氮化硅上开孔；

（8）硅片背面印刷铝浆；

（9）在正面印刷银栅线，烧结形成银电极（1）；

（10）在forming gas气氛下退火；

其中：步骤（1）所述的硅片采用N型单晶硅片作为基体，电阻率控制在0.5-12 ohm·cm；

步骤（2）采用管式磷扩散或者链式磷扩散；

步骤（3）采用湿法设备对硅片背面进行磷硅玻璃去除，采用溶液浓度为0.1-20%的氢氟酸溶液去除硅片正面磷硅玻璃；

步骤（5）硅片正面采用PECVD的方法生长氮化硅减反膜（2）；

步骤（6）硅片反面采用PECVD的方法生长氮化硅钝化膜。

5.根据权利要求4所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中的磷扩散方阻控制在50-180 ohm/sq。

6.根据权利要求4所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中的钝化膜厚度控制在1-50nm。

7.根据权利要求4所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（5）中氮化硅减反膜（2）厚度控制在50-120nm，折射率控制在1.9-2.3。

8.根据权利要求4所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（6）中背面氮化硅钝化膜厚度控制在50-200nm。

9.根据权利要求4所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（8）中的激光刻蚀为线阵列或点阵列，线阵列其刻蚀线宽控制在5-80um，间距控制在0.1-2.0mm；点阵列其点的直径为5-80um，间距为0.1-2.0mm。

10.根据权利要求4所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(10)的退火温度控制在150-500℃，时间控制在3-100分钟。