[发明专利]用于制造半导体器件的方法在审

申请号：	201410465189.1	申请日：	2014-09-12
公开（公告）号：	CN104465514A	公开（公告）日：	2015-03-25
发明（设计）人：	中川和之;阿部俊一	申请（专利权）人：	瑞萨电子株式会社
主分类号：	H01L21/78	分类号：	H01L21/78;B23K26/00;B23K26/38
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038	代理人：	秦晨
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	用于制造半导体器件方法
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【说明书】：

相关申请的交叉引用

在2013年9月13日提交的日本专利申请No.2013-190738的公开内容，包括说明书、附图和摘要，全文以提及方式并入本文。

技术领域

本发明涉及制造半导体器件的技术，特别地，涉及在应用于包括切割具有形成于其切割区内的金属图形的半导体晶片的步骤的制造半导体器件的方法时有效的技术。

背景技术

日本专利特开No.2005-340423(专利文献1)描述了一种切割方法，在切割具有形成于其切割区内的测试焊盘的半导体晶片的步骤中，半导体晶片以通过将半导体晶片暴露于激光辐射而形成的改性层作为起始点。

国际专利公开No.2007/055270(专利文献2)描述了一种形成方法，在切割在其切割区内具有测试焊盘的半导体晶片的步骤中，改性层作为通过将半导体晶片的其上没有测试焊盘的位置暴露于激光辐射来切割的起始点。

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开No.2005-340423

[专利文献2]国际专利公开No.2007/055270

发明内容

存在一种形成金属图形的技术，例如，在半导体晶片被划分成多个半导体芯片时作为要切割的区域的划片区内的测试焊盘。在将半导体晶片切割并划分成多个半导体芯片的步骤中，优选的是不在半导体芯片上留下金属图形的碎片地切割晶片。

随着半导体器件变得越来越精密，形成于一个半导体晶片上的测试焊盘的数量倾向于增加。当半导体芯片的平面尺寸增大时，测试焊盘布置于其内的划片区的面积减小。结果，形成于划片区内的金属图形的布局空间有时通过在彼此相邻的两个芯片区之间的多个列内形成金属图形来保证。在这种情况下，金属图形以高密度来布置，使得变得难以不留下金属图形的碎片地切割半导体晶片。

其他问题和新特征根据本文的描述和附图将变得明显。

根据一种实施例的用于制造半导体器件的方法包括在布置于彼此相邻的两个芯片区之间的划片区内沿着划片区的延伸方向来切割半导体晶片的步骤。划片区在其内具有在多个列中的多个金属图形。在切割半导体晶片的步骤中，半导体晶片被切割以便去除形成于多个列中的金属图形的某些列，同时防止去除属于与上述某些列不同的列的图形。

根据上述实施例，能够提供具有提高的可靠性的半导体器件。

附图说明

图1是根据一种实施例的半导体器件的透视图；

图2是图1所示的半导体器件的底视图；

图3是示出在布线基板上的半导体器件的内部结构的，然而从该器件中去除了图1所示的散热器(heatsink)的透视平面图；

图4是沿图1的直线A-A截取的截面图；

图5是示出图3所示的半导体芯片的表面侧的平面图；

图6是沿图5的直线A-A截取的放大截面图；

图7是示出参照图1至4所描述的半导体器件的制造步骤的概要的说明图；

图8是示出包含于图7所示的半导体芯片供应步骤内的子步骤的说明图；

图9是要在图8所示的半导体晶片供应步骤中提供的半导体晶片的表面侧的平面图；

图10是图9所示的多个芯片区中的连个芯片区的放大平面图；