[发明专利]用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供半导体晶片，所述半导体晶片具有第一芯片区、在平面图中相邻于所述第一芯片区布置的第二芯片区、在平面图中布置于所述第一芯片区与所述第二芯片区之间的划片区、以及在所述划片区内布置成多个列的且沿着所述划片区的延伸方向布置的多个金属图形；以及

(b)在所述半导体晶片的所述划片区中沿着所述划片区的所述延伸方向切割所述半导体晶片，

其中所述金属图形具有布置于与所述第一芯片区最接近的列内的第一列图形以及布置于与所述第一芯片区的距离较所述第一列图形远的列内的第二列图形，

其中所述第一芯片区与所述第一列图形之间的距离小于所述第一列图形与所述第二列图形之间的距离，并且小于所述第二芯片区与所述第二列图形之间的距离，并且

其中在所述步骤(b)中，所述第一列图形没有被去除，但是所述第二列图形被去除。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中所述步骤(b)包括沿着所述划片区的所述延伸方向传送划片刀，没有使所述划片刀与所述第一列图形接触，并由此加工和切割所述半导体晶片的步骤。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中所述步骤(b)包括在以所述划片刀加工所述半导体晶片之前以激光照射所述划片区以去除所述第二列图形的步骤，并且

其中所述第二列图形以所述激光来照射，而防止所述第一列图形以所述激光来照射。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

其中所述半导体晶片具有半导体基板以及相继堆叠于所述半导体基板的主表面之上的多个布线层，并且

其中在所述步骤(b)中，所述第二列图形通过以所述激光照射来去除以使所述半导体基板的所述主表面露出。

5.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(b)中，所述划片刀被插入通过以所述激光照射形成的凹槽之内。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一芯片区和所述第二芯片区中的每一个在其各自的外围部分具有多个电极焊盘和金属部件，以所述金属部件连续地包围着所述电极焊盘布置于其内的区域。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中所述金属图形还具有布置于所述第二列图形与所述第二芯片区之间的第三列图形，

其中所述第二芯片区与所述第三列图形之间的距离小于所述第三列图形与所述第二列图形之间的距离，并且小于所述第一芯片区与所述第二列图形之间的距离，并且

其中在所述步骤(b)中，所述第三列图形保留了下来，没有被去除。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述金属图形当中，所述第一列图形以具有树脂的绝缘膜覆盖。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一芯片区和所述第二芯片区各自具有电极焊盘、与所述电极焊盘连接的再分布层、用以覆盖所述再分布层的绝缘膜、以及要与所述再分布层的一部分连接于形成于所述绝缘膜内的开口部分处的突出电极，

其中所述突出电极和所述再分布层的一部分经由通过电镀方法形成的金膜相互连接，并且

其中所述金属图形各自以所述绝缘膜覆盖。

10.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中所述步骤(a)包括使接触端子与所述金属图形接触并由此进行测试的步骤。

11.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(c)提供具有芯片安装表面的布线基板，并且将在所述步骤(b)中获得的所述半导体芯片安装于所述布线基板的所述芯片安装表面之上。

12.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，

其中所述半导体芯片具有表面、形成于所述表面之上的多个突出电极、以及位于所述表面的相对侧上的背表面，并且

其中在所述步骤(c)中，所述半导体芯片和所述布线基板经由所述突出电极相互电连接，同时使所述半导体芯片的所述表面面对所述布线基板的所述芯片安装表面。