[发明专利]一种低漏电型电源钳位ESD保护电路

权利要求书

1.一种低漏电型电源钳位ESD保护电路，包括瞬态触发模块、直流电压探测模块以及泄放晶体管；

其特征在于，所述瞬态触发模块包括：PMOS晶体管M_p2，NMOS晶体管M_n2与M_fb1,电阻R₁以及电容C；所述PMOS晶体管M_p2的栅极与所述NMOS晶体管M_n2的栅极相连，所述NMOS晶体管M_n2的源极接地，所述NMOS晶体管M_n2的漏极与所述PMOS晶体管M_p2的漏极相连，所述PMOS晶体管M_p2的源极与所述低漏电型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述NMOS晶体管M_fb1的源极接地，所述NMOS晶体管M_fb1的漏极与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电阻R₁的一端与所述低漏电型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述电阻R₁的另一端与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电容C的一端与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电容C的另一端接地；

所述直流电压探测模块包括：PMOS晶体管M_p1，NMOS晶体管M_n1、M_fb与M_b,电阻R以及二极管；所述PMOS晶体管M_p1的栅极与所述NMOS晶体管M_n1的栅极相连，所述NMOS晶体管M_n1的源极接地，所述NMOS晶体管M_n1的漏极与所述PMOS晶体管M_p1的漏极相连，所述PMOS晶体管M_p1的漏极还与所述NMOS晶体管M_fb1的栅极相连，所述PMOS晶体管M_p1的源极与所述低漏电型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述NMOS晶体管M_fb的栅极与所述PMOS晶体管M_p1的漏极相连，所述NMOS晶体管M_fb的栅极还与所述NMOS晶体管M_fb1的栅极相连，所述NMOS晶体管M_fb的源极接地，所述NMOS晶体管M_fb的漏极与所述PMOS晶体管M_p1的栅极相连，所述电阻R的一端与所述低漏电型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述电阻R的一端还与所述PMOS晶体管M_p1的源极相连，所述电阻R的另一端与所述NMOS晶体管M_b的漏极之间正向串联有所述二极管至少一个，所述NMOS晶体管M_b的源极接地；

所述泄放晶体管为NMOS晶体管M_big，其栅极与所述PMOS晶体管M_p2的漏极相连，其栅极还与所述NMOS晶体管M_b的栅极相连，其源极与所述低漏电型电源钳位ESD保护电路的地线V_SS相连，其漏极与所述低漏电型电源钳位ESD保护电路的电源线V_DD相连。

2.根据权利要求1所述的一种低漏电型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述二极管为两个，分别是二极管D₁与二极管D₂。

3.根据权利要求1所述的一种低漏电型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述瞬态触发模块用于探测电源线上的脉冲是否具有ESD冲击的瞬态特性，若有，则触发泄放晶体管，并向直流电压探测模块发出有效信号，使其到地的电阻变小，若没有，则不触发泄放晶体管，并维持直流电压探测模块到地的大电阻状态。