[发明专利]双浅沟槽隔离的形成方法在审
| 申请号： | 201410459326.0 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104201147A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王永刚;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 形成 方法 | ||
1.一种双浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，包括：
在基底表面形成氧化层和硬掩膜层，所述基底具有第一区域与第二区域；
刻蚀所述第一区域和第二区域上的所述硬掩膜层和氧化层，直至暴露出基底表面，所述第一区域被暴露的表面形成第一部分区域，所述第二区域被暴露的表面形成第二部分区域；
以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一部分区域形成第一浅沟槽，刻蚀所述第二部分区域形成第二浅沟槽；
保护第二浅沟槽，并以所述硬掩膜层为掩膜进一步刻蚀所述第一浅沟槽形成第三浅沟槽。
2.根据权利要求1所述的双浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，于所述硬掩膜层表面形成第一光刻胶层，通过曝光、显影、刻蚀和去胶暴露出所述基底表面，以形成所述第一部分区域与第二部分区域。
3.根据权利要求2所述的双浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度为：
4.根据权利要求1所述的双浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层为：氮化硅或氮化硅与氮氧化硅的组合。
5.根据权利要求1所述的双浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，所述第三浅沟槽的深度为大于等于200nm小于等于400nm，第一浅沟槽、第二浅沟槽的深度为大于等于120nm小于等于200nm。
6.根据权利要求1所述的双浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，形成第一区域的第一浅沟槽与第二区域的第二浅沟槽的步骤为同时以硬掩膜层为掩膜刻蚀相同的深度。
7.根据权利要求1所述的双浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，形成所述第三浅沟槽的步骤包括，于所述硬掩膜层表面形成第二光刻胶层，通过曝光、显影、刻蚀和去胶形成所述第三浅沟槽；所述第二光刻胶层同时保护所述第二区域。
8.根据权利要求7所述的双浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度为：大于等于
9.根据权利要求1所述的双浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，所述基底为半导体晶圆。
10.根据权利要求1所述的双浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，所述第一区域为逻辑区域，所述第二区域为像素区域。
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