[发明专利]干蚀刻清洗剥离防护液

说明书

技术领域

    本发明涉及干蚀刻领域，具体是干蚀刻清洗剥离防护液。

背景技术

金属蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。金属蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。

通常所指金属蚀刻也称光化学金属蚀刻（photochemical etching），指通过曝光制版、显影后，将要金属蚀刻区域的保护膜去除，在金属蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。 　最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量(Weight Reduction)仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密金属蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，金属蚀刻更是不可或缺的技术。

在铝金属干蚀刻的技术上，铝金属的表面损坏是一个严重的问题，工业上现在有几种方式防止或减少铝金属的腐蚀，一是用温和的材料做防护剂，但通过无法彻底清除残余物质，二是用反腐剂，但通过的反腐剂材料是有毒性的，三是在清洗剥离过程中加PH控制材料减少腐蚀程度，但这样处理程度就会比较复杂了。目前还没有一种天然的化学产品 ，即可以达到防止或减少铝金属在干蚀刻过程中的腐蚀，又可以达到环保要求的干蚀刻清洗剥离专用的成分、生产工艺都比较简单的防护产品。

发明内容

本发明正是针对以上技术问题，提供一种天然的化学产品 ，即可以达到防止或减少铝金属在干蚀刻过程中的腐蚀，又可以达到环保要求的干蚀刻清洗剥离专用的成分、生产工艺都比较简单的防护产品。

干蚀刻清洗剥离防护液，主要由乙醇胺、氨基酸、有机溶剂组成，其中，各组份之间的比例为乙醇胺：氨基酸：有机溶剂=20～30：0.1～10：65～75。有机溶剂为一种或两种有机溶剂混合组成。有机溶剂为二甲基亚砜。有机溶剂为二乙二醇丁醚。氨基酸为油酸。干蚀刻清洗剥离防护液的使用温度为50℃～90℃。

本发明还提供干蚀刻清洗剥离防护液的制备方法，包括以下步骤：1、制备混合溶剂，将一或两种溶剂放入混合槽；2、添加乙醇胺，在步骤1中的混合溶剂中边通风搅拌边加入乙醇胺；3、添加氨基酸，在步骤2中的混合溶液中加入氨基酸，继续通风搅拌30分钟；4、将步骤2中的混合溶液经过0.2μm过滤。

本发明所述干蚀刻清洗剥离防护液的有益效果主要有：在干蚀刻清洗剂或剥离液中可以很简单地消除或减少铝金属的腐蚀，而且不会对环境造成不良影响，同时配方简单，易混合，而且成本低廉，使用温度易控。

经试验证明，将某些具有-COOH功能基团的其他有机酸取代本发明所述的氨基酸，虽然也能达到部分要求，但由于其来源及与金属之间的结合等多方面原因，综合性能比采用本发明所述氨基酸要稍差，因此，本发明选用氨基酸作为防护液主要成分。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。

实施例

将甲基亚砜：二乙二醇丁醚：乙醇胺：油酸按45：28：25：2的比例准备好，先将甲基亚砜与二乙二醇丁醚制备成混合溶剂，在具有通风设备的非金属单一材质混合槽中充分混合，然后将乙醇胺在通风搅拌的情况下加入混合槽中的混合溶剂内，最后将油酸在通风搅拌的情况下加入混合槽，继续通风搅拌30分钟后，经0.2μm过滤后包装待用。

经试验，该干蚀刻清洗剥离防护液安全无毒，即可以达到防止或减少铝金属在干蚀刻过程中的腐蚀，又可以达到环保要求，同时配方简单，易混合，而且成本低廉，使用温度易控。