[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410454214.6 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104916598B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 铃谷信人;中村三昌;尾山胜彦;川村英树;青木秀夫 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于包括：
绝缘基板，其包含第1及第2主面；
第1半导体芯片，其配置在所述第1主面上；
第2半导体芯片，其配置在所述第1半导体芯片上，且控制所述第1半导体芯片；
多个连接端子，其等配置在所述第1主面上；
外部端子，其配置在所述第2主面上；
多个连接构件，其等将所述第2半导体芯片与所述多个连接端子连接；
多条数据信号配线，其等包含连接于所述多个连接端子的任一者的一端、连接于所述第1半导体芯片或所述外部端子的另一端、及在所述第1主面上的第1区域内相邻而配置的中间部；
多条非数据信号配线，其等包含连接于所述多个连接端子的任一者的一端、连接于所述第1半导体芯片或所述外部端子的另一端、及在与所述第1主面上的所述第1区域不同的第2区域配置的中间部；以及
导电性及顺磁性的导体层，其间隔地覆盖在所述第1区域配置的所述数据信号配线的中间部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述多条数据信号配线的各自的数据的传输速度是200Mbps以上，且
所述导体层的厚度是1μm以上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述多条数据信号配线与所述导体层的间隔是10μm以上、且20μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述导体层使用Cu、Al、或Mg。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述多条数据信号配线的条数是3条以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410454214.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及模块
- 下一篇：半导体装置的制造方法以及半导体集成电路晶片
