[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201410453471.8 | 申请日: | 2014-09-05 |
公开(公告)号: | CN104241330B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 张金中 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示装置及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的不断发展,OLED显示装置以其体积轻薄、对比度高、色域高、功耗低、可以实现柔性显示等优点,已经成为下一代显示装置的主流发展趋势。
OLED显示装置中的AMOLED(Active Matrix Organic Light Emission Display,有源矩阵有机发光二极管显示装置)响应速度快,且可满足各种尺寸显示装置的需求,因此备受很多企业关注。AMOLED显示装置通常包括阵列基板和发光器件,其中发光器件主要采用精细金属掩膜的方式实现,该实现方式已经日趋成熟,使AMOLED实现量产。
采用上述方式实现AMOLED的过程中,发光器件是通过蒸镀方式将OLED材料按照预定程序蒸镀到低温多晶硅背板上,再利用精细金属掩膜上的图形进行构图工艺形成的。如图1所示,AMOLED显示装置的结构一般包括:阵列基板101、阳极102、空穴注入层103、空穴传输层104、发光层105、电子传输层106、电子注入层107和阴极108。
以上述发光器件为顶出光型为例,其发光时发光层发出的光线将分别向上和向下发射,向上发射的光线需要经过电子传输层、电子注入层和阴极传输出去,向下发射的光线需要经过空穴传输层和空穴注入层,传输到阳极,再被阳极反射为向上发射,反射后光线又要经过空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极才能传输出去。整个发光过程中,由于光线在上述各个膜层传输时会因光波导效应被部分吸收和散射,光线由发光层传输到发光器件外所需穿过的膜层较多,因此会造成发光器件发出的光线的损失量较大,发光器件的外量子效率较低,进而导致AMOLED的出光效率较低。
发明内容
本发明提供了一种OLED显示装置及其制作方法,以提高发光器件的外量子效率,进而提高OLED显示装置的出光效率。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种有机发光二极管显示装置,具有多个像素开口区域,包括:阵列基板及位于所述阵列基板上且位于每个所述像素开口区域内的发光器件,所述发光器件包括:空穴传输层、发光层和电子传输层;其中,所述发光层完全覆盖一个所述像素开口区域;所述空穴传输层和所述电子传输层分别位于所述发光层的两侧,或者所述空穴传输层和所述电子传输层位于所述发光层的同一侧;所述空穴传输层在所述发光层上的垂直投影和所述电子传输层在所述发光层上的垂直投影均部分覆盖一个所述像素开口区域,且所述空穴传输层在所述发光层上的垂直投影与所述电子传输层在所述发光层上的垂直投影相互错开。
优选的,所述发光器件还包括:位于所述空穴传输层背离所述发光层一侧的空穴注入层,及位于所述电子传输层背离所述发光层一侧的电子注入层,所述空穴注入层与所述空穴传输层完全重叠,所述电子注入层与所述电子传输层完全重叠。
优选的,所述发光器件还包括:位于所述空穴注入层背离所述发光层一侧的阳极,及位于所述电子注入层背离所述发光层一侧的阴极。
优选的,当所述空穴传输层和所述电子传输层位于所述发光层的同一侧时,所述阳极与所述空穴传输层完全重叠,所述阴极与所述电子传输层完全重叠。
优选的,当所述空穴传输层位于所述发光层朝向所述阵列基板的一侧,且所述电子传输层位于所述发光层背离所述阵列基板的一侧时,所述阳极与所述发光层或所述空穴注入层完全重叠,所述阴极与所述电子注入层完全重叠。
优选的,当所述空穴传输层位于所述发光层背离所述阵列基板的一侧,且所述电子传输层位于所述发光层朝向所述阵列基板的一侧时,所述阳极与所述空穴注入层完全重叠,所述阴极与所述电子注入层或所述发光层完全重叠。
优选的,所述发光器件还包括:位于所述空穴传输层与所述发光层之间的电子阻挡层,及位于所述电子传输层与所述发光层之间的空穴阻挡层。
优选的,所述发光器件还包括:覆盖在所述发光器件上的保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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