[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201410453471.8 | 申请日: | 2014-09-05 |
公开(公告)号: | CN104241330B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 张金中 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制作方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,具有多个像素开口区域,包括:阵列基板及位于所述阵列基板上且位于每个所述像素开口区域内的发光器件,其特征在于,所述发光器件包括:空穴传输层、发光层和电子传输层;其中,
所述发光层完全覆盖一个所述像素开口区域;
所述空穴传输层位于所述发光层背离或朝向所述阵列基板的一侧;所述电子传输层位于所述发光层背离或朝向所述阵列基板的一侧;所述空穴传输层在所述发光层上的垂直投影和所述电子传输层在所述发光层上的垂直投影均部分覆盖一个所述像素开口区域,且所述空穴传输层在所述发光层上的垂直投影与所述电子传输层在所述发光层上的垂直投影相互错开。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,所述发光器件还包括:位于所述空穴传输层背离所述发光层一侧的空穴注入层,及位于所述电子传输层背离所述发光层一侧的电子注入层,所述空穴注入层在所述发光层上的垂直投影与所述空穴传输层在所述发光层上的垂直投影完全重叠,所述电子注入层在所述发光层上的垂直投影与所述电子传输层在所述发光层上的垂直投影完全重叠。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,所述发光器件还包括:位于所述空穴注入层背离所述发光层一侧的阳极,及位于所述电子注入层背离所述发光层一侧的阴极。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,当所述空穴传输层和所述电子传输层位于所述发光层的同一侧时,所述阳极在所述发光层上的垂直投影与所述空穴传输层在所述发光层上的垂直投影完全重叠,所述阴极在所述发光层上的垂直投影与所述电子传输层在所述发光层上的垂直投影完全重叠。
5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,当所述空穴传输层位于所述发光层朝向所述阵列基板的一侧,且所述电子传输层位于所述发光层背离所述阵列基板的一侧时,所述阳极在所述发光层上的垂直投影与所述发光层或所述空穴注入层在所述发光层上的垂直投影完全重叠,所述阴极在所述发光层上的垂直投影与所述电子注入层在所述发光层上的垂直投影完全重叠。
6.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,当所述空穴传输层位于所述发光层背离所述阵列基板的一侧,且所述电子传输层位于所述发光层朝向所述阵列基板的一侧时,所述阳极在所述发光层上的垂直投影与所述空穴注入层在所述发光层上的垂直投影完全重叠,所述阴极在所述发光层上的垂直投影与所述电子注入层在所述发光层上的垂直投影或所述发光层完全重叠。
7.根据权利要求1~6任一项所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,所述发光器件还包括:位于所述空穴传输层与所述发光层之间的电子阻挡层,及位于所述电子传输层与所述发光层之间的空穴阻挡层。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,还包括:覆盖在所述发光器件上的保护层。
9.一种有机发光二极管显示装置的制作方法,包括:形成阵列基板,所述阵列基板包括多个像素开口区域;在所述阵列基板上的每个像素开口区域内形成发光器件,其特征在于,所述制作方法用于制作权利要求1~8任一项所述的有机发光二极管显示装置,所述形成发光器件包括形成空穴传输层、发光层和电子传输层;其中,
所述发光层完全覆盖一个所述像素开口区域;
所述空穴传输层位于所述发光层背离或朝向所述阵列基板的一侧;所述电子传输层位于所述发光层背离或朝向所述阵列基板的一侧;所述空穴传输层在所述发光层上的垂直投影和所述电子传输层在所述发光层上的垂直投影均部分覆盖一个所述像素开口区域,且所述空穴传输层在所述发光层上的垂直投影与所述电子传输层在所述发光层上的垂直投影相互错开。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述空穴传输层、所述发光层和所述电子传输层采用精细金属掩膜在所述阵列基板上蒸镀形成。
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