[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

步骤1，在包括下层结构的衬底上形成绝缘介质层；

步骤2，在绝缘介质层上形成硬掩模层和软掩模图形；

步骤3，以软掩模图形为掩模，对硬掩模层执行第一刻蚀以形成硬掩模图形；

步骤4，以硬掩模图形为掩模，对绝缘介质层执行第二刻蚀以形成接触孔或沟槽；

步骤5，通入氧化性气体，去除接触孔或沟槽侧壁上的聚合物；

步骤6，多次执行步骤4和/或步骤5，直至露出下层结构。

2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，绝缘介质层包括氧化硅、氮化硅、低k材料中的一种或其组合。

3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，硬掩模层材料主要由非晶硅组成。

4.如权利要求3的半导体器件制造方法，其中，硬掩模层除了非晶硅的第一层之外，还可包括选自多晶硅、非晶碳、氧化硅、氮化硅的任意一种或其组合的多个第二层。

5.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，第一刻蚀的反应气体包括选自Cl₂、HBr、SF₆或碳氟基气体的任意一种或其组合的刻蚀气体，以及选自O₂、CO中的任意一种或其组合的氧化性气体。

6.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，第二刻蚀的反应气体包括选自CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、C₄F₆、C₄F₈的任意一种或其组合的碳氟基刻蚀气体。

7.如权利要求5的半导体器件制造方法，其中，碳氟基气体包括选自CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F的任意一种或其组合的碳氟基刻蚀气体。

8.如权利要求6的半导体器件制造方法，其中，第二刻蚀的反应气体也包括氧化性气体，并且步骤5中停止通入碳氟基刻蚀气体。

9.如权利要求8的半导体器件制造方法，其中，提高碳氟基刻蚀气体中的碳氟的流量比或者减小氧化性气体的比例以形成倾斜的接触孔或沟槽侧壁；还可通过减小碳氟基刻蚀气体中的碳氟比或者增大氧化性气体的比例以形成垂直的接触孔或沟槽侧壁。

10.如权利要求1或8的半导体器件制造方法，其中，步骤5或步骤4中的氧化性气体选自O₂、CO中的任意一种或其组合。

11.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，软掩模图形为适用于电子束光刻、193nm浸入式光刻、i线光刻、g线光刻的任意一种或其组合的光刻胶图形，第二刻蚀的刻蚀设备为电容耦合等离子体(CCP)或电感耦合等离子体(ICP、TCP)腔体。