[发明专利]鸟嘴长度的测试方法及装置

权利要求书

1.一种鸟嘴长度的测试方法，其特征在于，包括：

分别获取第一金属氧化物半导体场效应晶体MOS管的最大跨导值和第二MOS管的最大跨导值，所述第一MOS管和所述第二MOS管同类型，所述第一MOS管和所述第二MOS管的工艺流程相同，且所述第一MOS管的预设沟道宽度与所述第二MOS管的预设沟道宽度不同；

依据所述第一MOS管的最大跨导值和所述第二MOS管的最大跨导获得鸟嘴长度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据所述第一MOS管的最大跨导值和所述第二MOS管的最大跨导获得鸟嘴长度包括：

鸟嘴长度y＝(1/2)*(W2*L1*G1-W1*L2*G2)/(L1*G1-L2*G2)，其中，W2表示所述第二MOS管的预设沟道宽度，L1表示所述第一MOS管的沟道长度，G1表示所述第一MOS管的最大跨导值，W1表示所述第一MOS管的预设沟道宽度，L2表示所述第二MOS管的沟道长度，G2表示所述第二MOS管的最大跨导值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述分别获取第一MOS管的最大跨导值和第二MOS管的最大跨导值包括：

分别设置所述第一MOS管的漏源电压和所述第二MOS管的漏源电压为预设值；

以所述第一MOS管的栅源电压为横轴、所述第一MOS管的漏极电流为纵轴形成第一曲线，所述第一曲线上最大的斜率为所述第一MOS管的最大跨导值；

以所述第二MOS管的栅源电压为横轴、所述第二MOS管的漏极电流为纵轴形成第二曲线，所述第二曲线上最大的斜率为所述第二MOS管的最大跨导值。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述以所述第一MOS管的栅源电压为横轴、所述第一MOS管的漏极电流为纵轴形成第一曲线，所述第一曲线上最大的斜率为所述第一MOS管的最大跨导值包括：

在所述横轴设置预定个数的等间隔的第一扫描点，测试各所述第一扫描点分别对应的所述第一MOS管的第一漏极电流；

依次计算相邻的两个第一扫描点分别对应的第一漏极电流的第一差值，从多个所述第一差值中获取最大的第一差值，所述最大的第一差值与所述间隔的比值为所述第一MOS管的最大跨导值；

所述以所述第二MOS管的栅源电压为横轴、所述第二MOS管的漏极电流为纵轴形成第二曲线，所述第二曲线上最大的斜率为所述第二MOS管的最大跨导值包括：

在所述横轴设置预定个数的等间隔的第二扫描点，测试各所述第二扫描点分别对应的所述第二MOS管的第二漏极电流；

依次计算相邻的两个第二扫描点分别对应的第二漏极电流的第二差值，从多个所述第二差值中获取最大的第二差值，所述最大的第二差值与所述间隔的比值为所述第二MOS管的最大跨导值。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述第一MOS管的预设沟道宽度是所述第二MOS管的预设沟道宽度的10倍，或者所述第二MOS管的预设沟道宽度是所述第一MOS管的预设沟道宽度的10倍；

所述第一MOS管的沟道长度与所述第二MOS管的沟道长度均在10微米到50微米的范围内。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一MOS管的沟道长度与所述第二MOS管的沟道长度相等。

7.一种鸟嘴长度的测试装置，其特征在于，包括：

最大跨导值获取模块，用于分别获取第一金属氧化物半导体场效应晶体MOS管的最大跨导值和第二MOS管的最大跨导值，所述第一MOS管和所述第二MOS管同类型，所述第一MOS管和所述第二MOS管的工艺流程相同，且所述第一MOS管的预设沟道宽度与所述第二MOS管的预设沟道宽度不同；

鸟嘴长度计算模块，用于依据所述第一MOS管的最大跨导值和所述第二MOS管的最大跨导获得鸟嘴长度。