[发明专利]一种双岛框架键合加热块及夹具有效
| 申请号： | 201410449101.7 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN105470189B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王建新;吴凡;郁琦 | 申请（专利权）人： | 无锡华润安盛科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/60 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 框架 加热 夹具 | ||
1.一种双岛框架键合加热块,其特征在于：
所述加热块具有至少一个凹槽，自所述凹槽底部向上突出形成并位于所述凹槽内的一具有斜面的凸台,所述凹槽用于容置双岛框架。
2.根据权利要求1所述的双岛框架键合加热块，其特征在于：所述凸台位于所述凹槽底部的中部并占所述凹槽底部长度的七分之五至五分之四。
3.根据权利要求1所述的双岛框架键合加热块，其特征在于：所述凸台位于整个凹槽的底部。
4.根据权利要求1所述的双岛框架键合加热块，其特征在于：所述凹槽底面与所述凸台斜面的夹角为0.5°-1°。
5.根据权利要求4所述的双岛框架键合加热块，其特征在于：所述凹槽底面与所述凸台斜面的夹角为0.88°。
6.根据权利要求1所述的双岛框架键合加热块，其特征在于：自所述凸台的顶面中心位置向下延伸开通有真空管道。
7.根据权利要求1所述的双岛框架键合加热块，其特征在于：所述凸台的最高端等于所述凹槽深度的四分之一至三分之一。
8.根据权利要求1所述的双岛框架键合加热块，其特征在于：所述加热块，其凹槽两侧的高度不等。
9.根据权利要求1所述的双岛框架键合加热块，其特征在于：所述双岛框架，其包括第一小岛、第二小岛、第一连筋、第二连筋、第三连筋、第四连筋、第五连筋、第六连筋、第一芯片和第二芯片，所述第一小岛通过所述第一连筋、第二连筋和第三连筋来固定，其中，所述第二连筋和第三连筋为所述第一芯片的引脚，所述第二小岛通过第四连筋、第五连筋和第六连筋来固定，其中，所述第五连筋和第六连筋为所述第二芯片的引脚，在进行键合时，所述双岛框架的第一小岛和第二小岛置于所述凸台上，所述第一小岛上放置第一芯片，所述第二小岛上放置第二芯片。
10.一种用于双岛框架键合的夹具，其特征在于：包括压板及如权利要求1-6之一所述的加热块，所述双岛框架的第一小岛和第二小岛置于所述凸台和压板之间以实现键合时的固定和加热。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润安盛科技有限公司，未经无锡华润安盛科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410449101.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：圆罐自动磁性翻罐机构
- 下一篇：一种物品双直角转运装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
