[发明专利]半导体器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件结构的方法，包括：

在半导体衬底上方形成栅极堆叠件；

在所述栅极堆叠件的侧壁上方形成密封结构；

在所述半导体衬底、所述密封结构和所述栅极堆叠件上方形成伪遮蔽层，并且所述伪遮蔽层作为临时主间隔件；

在所述伪遮蔽层上实施离子注入工艺以在所述半导体衬底中形成源极区和漏极区，所述源极区和漏极区与所述密封结构横向间隔开一距离，并且所述距离到达所述伪遮蔽层覆盖的区域；

在形成所述源极区和所述漏极区之后去除所述伪遮蔽层以在所述密封结构上没有保留所述伪遮蔽层；以及

在所述半导体衬底、所述密封结构和所述栅极堆叠件上方形成与所述密封结构和所述栅极堆叠件直接接触的蚀刻停止层。

2.根据权利要求1所述的形成半导体器件结构的方法，其中，所述伪遮蔽层包括光刻胶材料。

3.根据权利要求2所述的形成半导体器件结构的方法，进一步包括在形成所述伪遮蔽层之前，在所述半导体衬底、所述密封结构和所述栅极堆叠件上方形成抗反射介电层。

4.根据权利要求3所述的形成半导体器件结构的方法，进一步包括去除所述抗反射介电层。

5.根据权利要求1所述的形成半导体器件结构的方法，进一步包括在形成所述密封结构之后以及在形成所述伪遮蔽层之前，在所述半导体衬底中形成轻掺杂的源极区和漏极区(LDS/D)。

6.根据权利要求1所述的形成半导体器件结构的方法，其中，所述密封结构的宽度在5nm到15nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的形成半导体器件结构的方法，其中，所述密封结构与所述栅极堆叠件之间的宽度比率在0.05到0.7之间的范围内。

8.根据权利要求1所述的形成半导体器件结构的方法，其中，完全去除所述伪遮蔽层。

9.根据权利要求1所述的形成半导体器件结构的方法，进一步包括使用金属栅电极替换所述栅极堆叠件的栅电极。

10.一种形成半导体器件结构的方法，包括：

在半导体衬底上方形成第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件；

在所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件的侧壁上方分别形成密封结构；

在所述密封结构上方形成伪遮蔽层，并且所述伪遮蔽层作为临时主间隔件；

在所述伪遮蔽层上依次实施离子注入工艺，以分别在所述半导体衬底中以及在所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件的相对侧上依次形成第一源极区和漏极区以及第二源极区和漏极区，所述第一源极区和漏极区与所述密封结构横向间隔开一距离，并且所述距离到达所述伪遮蔽层覆盖的区域；

在形成所述第一源极区和漏极区以及所述第二源极区和漏极区之后去除所述伪遮蔽层以在所述密封结构上没有保留所述伪遮蔽层；以及

在所述半导体衬底、所述密封结构和所述第一栅极堆叠件以及所述第二栅极堆叠件上方形成与所述密封结构、所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件直接接触的蚀刻停止层。

11.根据权利要求10所述的形成半导体器件结构的方法，其中，使用不同的掺杂剂注入所述第一源极区和漏极区以及所述第二源极区和漏极区。

12.根据权利要求10所述的形成半导体器件结构的方法，其中，所述伪遮蔽层包括光刻胶聚合物。

13.根据权利要求10所述的形成半导体器件结构的方法，其中，完全去除所述伪遮蔽层。

14.根据权利要求10所述的形成半导体器件结构的方法，进一步包括：

使用第一金属栅电极替换所述第一栅极堆叠件的第一栅电极；以及

使用第二金属栅电极替换所述第二栅极堆叠件的第二栅电极。