[发明专利]在聚合物基板上形成金属图案的方法有效
申请号: | 201410448908.9 | 申请日: | 2014-09-04 |
公开(公告)号: | CN105321800B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 罗昱凯;陈世宏;郭昱甫;庄子文 | 申请(专利权)人: | 启碁科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/768 |
代理公司: | 北京嘉和天工知识产权代理事务所(普通合伙)11269 | 代理人: | 严慎,支媛 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚合物 基板上 形成 金属 图案 方法 | ||
1.一种在聚合物基板上形成金属图案的方法,所述在聚合物基板上形成金属图案的方法包括:
提供一聚合物基板;
在所述聚合物基板的表面上形成一混合层,其中所述混合层包括活性载体介质与分散于所述活性载体介质中的纳米粒子;
通过用激光步骤处理所述混合层融合所述混合层的一部分中的所述纳米粒子,以在所述聚合物基板的所述表面上形成导电图案,其中所述纳米粒子通过在所述激光步骤期间从所述纳米粒子产生的热被融合在一起;
进行清洗步骤,以移除未经处理的所述混合层的部分,以暴露出所述聚合物基板的所述表面,同时保留所述导电图案留在所述聚合物基板的所述表面上;以及
对留在所述聚合物基板上的所述导电图案进行电镀处理,以在所述导电图案上形成金属图案。
2.如权利要求1所述的在聚合物基板上形成金属图案的方法,其中所述聚合物基板的材料包括尼龙、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚四氟乙烯或液晶聚合物。
3.如权利要求1所述的在聚合物基板上形成金属图案的方法,其中所述纳米粒子的材料包括氧化铜、铜、银或金。
4.如权利要求1所述的在聚合物基板上形成金属图案的方法,其中所述纳米粒子的材料包括氧化铜。
5.如权利要求4所述的在聚合物基板上形成金属图案的方法,其中所述激光步骤是藉由使用功率为0.2~4W且具有20%~80%激光点覆盖率、波长为355~1064纳米的激光来进行。
6.如权利要求5所述的在聚合物基板上形成金属图案的方法,其中所述导电图案为铜层。
7.如权利要求4所述的在聚合物基板上形成金属图案的方法,其中所述电镀处理包括铜电镀处理且所述金属图案包括铜图案。
8.如权利要求1所述的在聚合物基板上形成金属图案的方法,其中所述纳米粒子的平均尺寸小于100纳米。
9.如权利要求1所述的在聚合物基板上形成金属图案的方法,其中相对于所述混合层的总重量,所述混合层中的所述纳米粒子的含量为自20重量%至40重量%。
10.如权利要求1所述的在聚合物基板上形成金属图案的方法,其中所述活性载体介质的材料包括聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯氧化物。
11.如权利要求1所述的在聚合物基板上形成金属图案的方法,其中形成所述混合层包括藉由喷洒涂布、旋转涂布、浸涂、丝网印刷、移印或涂抹来形成所述混合层。
12.如权利要求1所述的在聚合物基板上形成金属图案的方法,其中所述导电图案的位置对应于所述金属图案的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造