[发明专利]导电性硅橡胶制电极图案的制作方法以及全硅橡胶制静电吸盘及其制造方法有效
申请号: | 201410444513.1 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN104576485B | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 中野昭生;依田昌弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社信科模具 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 硅橡胶 电极 图案 制作方法 以及 静电 吸盘 及其 制造 方法 | ||
本发明提供能够用导电性硅橡胶加工细密的电极图案形状的导电性硅橡胶制电极图案的制作方法、将该导电性硅橡胶制电极图案埋设在绝缘性硅橡胶的内部而成的具有伸缩性的全硅橡胶制静电吸盘及其制造方法。导电性硅橡胶制电极图案的制作方法,其特征在于,将导电性硅橡胶组合物制成片材,与工序膜层叠后使导电性硅橡胶组合物的片材固化,没有切割工序膜而只将导电性硅橡胶片材切割为电极图案形状后,将多余的导电性硅橡胶片材从工序膜剥离除去。
技术领域
本发明涉及将导电性硅橡胶片材加工为电极图案形状的方法,特别涉及能够精密地加工复杂的电极图案形状的导电性硅橡胶制电极图案的制作方法。此外,涉及将该导电性硅橡胶制电极图案埋设在绝缘性硅橡胶的内部而成的具有伸缩性的全硅橡胶制静电吸盘及其制造方法。
背景技术
通常的柔性印刷基板,通过将抗蚀剂形成于绝缘性膜和铜箔的层叠品的铜箔面后,采用蚀刻将没有抗蚀剂的铜箔除去,从而制作电极图案。此外,膜配线板通过将碳糊、银糊等导电性墨作为导体涂布于绝缘性膜,从而制作电极图案。这些是绝缘性膜与铜箔或导电性墨制的电极图案的一体品,具有能够弯曲的柔软性,但几乎没有获得伸缩性。
此外,为了半导体集成电路的制造工序中的晶片在真空中的保持,使用了库仑力方式或约翰逊·拉别克(ジャンセン·ラーベックJohnsen-Rahbeck)力方式的晶片吸盘,所谓静电吸盘。静电吸盘为使电极图案埋设在绝缘体层的内部的构造,作为绝缘体层,使用聚酰亚胺等有机树脂、氮化铝、氧化铝、氮化硼、氮化硅等陶瓷、硅橡胶等橡胶弹性体,作为电极图案,使用了铜、铝等金属箔,碳糊、银糊等导电性墨。
提出了几个将导电性橡胶用于静电吸盘的电极图案、电子电路元件的电磁波屏蔽用导电层的方案。
特开昭59-188135号公报(专利文献1)中提出了下述方法:使具有比金属大的电阻的第1电极和第2电极间产生电位差,吸附半导体基板,进行表面处理,作为电极,例示了混入金属粉末的导电性硅橡胶。
特开昭63-194345号公报(专利文献2)中提出了在绝缘膜上配置了留有适当的间隔的导电性树脂材料的静电吸盘,作为导电性树脂材料,例示了导电橡胶、导电塑料等。
特开平1-164099号公报(专利文献3)中提出了在电绝缘层上采用丝网印刷层叠导电性硅橡胶的导电层的放热屏蔽片材。
特开2000-326170号公报(专利文献4)中提出了在高导热性硅橡胶固化物内部埋设作为电极发挥功能的导电性硅橡胶而成的、与能支持晶片背面的支持突起组合使用的在垂直方向上能够弹性变形的静电吸盘。
专利文献3采用丝网印刷制作了导电性硅橡胶制的电极图案,但在其以外的专利文献中尚未记载具体的电极图案的制作方法。
通常的静电吸盘是利用库仑力、约翰逊·拉别克力吸附导电性或半导电性的晶片等基板,双极结构的电极图案用比较简单的形状充分地显现吸附力。另一方面,吸附绝缘性的玻璃、树脂制的基板的情形下,有必要产生梯度力。梯度力是通过使静电吸盘表面上的电场不均匀而显现的力,有必要使电极图案更细密,以使电极的宽度和电极间的距离尽可能小。但是,导电性硅橡胶柔软,伸长率大,因此加工成细密的电极图案非常难。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开昭59-188135号公报
专利文献2:特开昭63-194345号公报
专利文献3:特开平1-164099号公报
专利文献4:特开2000-326170号公报
发明内容
发明要解决的课题
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社信科模具,未经株式会社信科模具许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410444513.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多触点凸块焊合晶片座
- 下一篇:热处理设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造