[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体元件，尤其涉及一种发光二极管及其制造方法。

背景技术

传统的发光二极管包括透光基板、设置在透光基板上的N型半导体层、活性层、P型半导体层、P型电极以及N型电极。所述P型电极设置在所述P型半导体层的表面，所述N型电极设置在所述N型电极的表面。部分自活性层发出的光线自所述透光基板出射的过程中，由于受到N型电极和P型电极反射而无法出射，从而导致其发光效率降低。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种出光效率较高的发光二极管及其制造方法。

一种发光二极管，包括第一电极、第二电极以及磊晶结构，所述磊晶结构设置在所述第一电极上且分别与所述第一电极、第二电极电性连接，所述第二电极环绕所述磊晶结构的周缘侧向，以将所述磊晶结构周缘侧向的光线反射集中自磊晶结构的顶部出射。

一种发光二极管的制造方法，其包括：

在透光基板上生长磊晶层，所述磊晶层自上向下至少包括第一型半导体层、活性层以及第二型半导体层；

在所述磊晶层上形成至少贯穿所述第一型半导体层及所述活性层的环形沟槽；

在所述环形沟槽内填充形成绝缘层；

蚀刻所述环形沟槽周缘外侧的磊晶层以形成多个间隔设置的磊晶结构，所述磊晶结构之间形成间隔设置且贯穿所述磊晶层的沟道；

在所述沟道内形成覆盖所述磊晶结构周缘侧面的导电层；

切割所述透光基板形成多个独立的磊晶结构；

制作第一电极及第二电极，形成发光二极管。

与传统的发光二极管相比，本发明的发光二极管及制造方法中，由于磊晶结构设置在所述第一电极上，所述第二电极环绕设置在所述磊晶结构的周缘侧向，从而使得磊晶结构原本被反射而无法出射的光线，经由所述第二电极反射后均集中自发光二极管的顶部出射，提高了出光效率。

附图说明

图1为本发明第一实施例的发光二极管的剖面示意图。

图2为本发明第二实施例的发光二极管的剖面示意图。

图3至图15为本发明的发光二极管的制造过程示意图。

主要元件符号说明

发光二极管100，200，500第一电极10，300b上表面11下表面12侧面13第二电极20，400b基部21延伸部22磊晶结构30，100b第一型半导体层31，31b活性层32，22b第二型半导体层33，23b缓冲层34，24b第一环形槽40绝缘层41，40b第二环形槽50透光层60保护层70透光基板10b磊晶层20b沟道50b光阻层30b导电层60b间隙70b胶条200b通孔300b环形沟槽301b间隔区域320b周缘外侧面321外表面331低温未掺杂GaN层341，241b高温未掺杂GaN层342，242b环形槽350b