[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括第一电极、第二电极以及磊晶结构，其特征在于：所述磊晶结构设置在所述第一电极上且分别与所述第一电极、第二电极电性连接，所述磊晶结构包括依序设置在所述第一电极的上表面的第一型半导体层、活性层以及第二型半导体层，所述第一型半导体层与所述第一电极的上表面直接接触，所述第二电极包括基部以及自所述基部的上表面向上延伸的延伸部，所述基部环绕所述第一电极，所述延伸部环绕所述磊晶结构的周缘侧面，以反射所述磊晶结构朝向周缘侧向的光线并使该反射光线自磊晶结构的顶部出射，其中，所述延伸部的底端的内周缘与所述第一型半导体层外周缘以及所述活性层的外周缘间隔设置，从而形成第二环形槽，所述第二环形槽的高度由所述基部的上表面以及所述第二型半导体层的下表面共同界定，所述第二环形槽的宽度由所述第一型半导体层的外周缘、所述活性层的外周缘以及所述延伸部的底端的内周缘共同界定，所述延伸部的顶端的内周缘与所述第二型半导体层直接接触。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述基部与所述第一电极之间形成第一环形槽，所述第一环形槽内填充绝缘材料。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极与所述第一型半导体层电性连接，所述延伸部与所述第二型半导体层电性连接。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述延伸部的内周缘表面与所述第一型半导体层的外周缘以及所述活性层的外周缘之间形成第二环形槽，所述第二环形槽内填充有绝缘层。

5.一种发光二极管的制造方法，其包括：

在透光基板上生长磊晶层，所述磊晶层自上向下至少包括第一型半导体层、活性层以及第二型半导体层；

在所述磊晶层上形成至少贯穿所述第一型半导体层及所述活性层的环形沟槽；

在所述环形沟槽内填充形成绝缘层；

蚀刻所述环形沟槽周缘外侧的磊晶层以形成多个间隔设置的磊晶结构，所述磊晶结构之间形成间隔设置且贯穿所述磊晶层的沟道；

在所述沟道内形成覆盖所述磊晶结构周缘侧面的导电层作为第二电极，所述第二电极包括基部以及自所述基部的上表面向上延伸的延伸部，所述延伸部的底端的内周缘与所述第一型半导体层的外周缘以及所述活性层的外周缘间隔设置，从而形成第二环形槽，所述第二环形槽的高度由所述基部的上表面以及所述第二型半导体层的下表面共同界定，所述第二环形槽的宽度由所述第一型半导体层的外周缘、所述活性层的外周缘以及所述延伸部的底端的内周缘共同界定，所述延伸部的顶端的内周缘与所述第二型半导体层直接接触；

切割所述透光基板形成多个独立的磊晶结构；

制作第一电极，形成发光二极管。

6.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述形成环形沟槽的步骤中至少包括：

在所述磊晶层的表面上形成光阻层，所述光阻层具有多个间隔设置的通孔，所述通孔呈环状；

沿所述通孔向下蚀刻所述磊晶层，以形成所述环形沟槽。

7.如权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：

所述形成沟道的步骤至少包括：去除所述磊晶层表面的光阻层；

在所述磊晶层的表面上再次形成光阻层，所述光阻层覆盖所述绝缘层以及位于所述绝缘层所围设的区域内的磊晶层的表面，所述光阻层之间形成间隔区域；

沿着所述间隔区域向下蚀刻所述磊晶层形成多个间隔设置的磊晶结构，所述磊晶结构之间形成间隔设置的沟道，所述透光基板封闭所述沟道的底部。

8.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述形成导电层的方法包括：

在所述沟道内进一步形成光阻层，所述光阻层设置在所述磊晶结构的周缘外侧且与所述磊晶结构间隔设置；

在所述光阻层与所述磊晶结构的周缘外侧之间形成导电层，所述导电层覆盖所述磊晶结构的周缘侧面及所述绝缘层的周缘侧面。

9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：

所述形成多个独立的磊晶结构的步骤包括：

去除所述光阻层，以在相邻的两个磊晶结构的导电层之间形成间隙；

沿着所述透光基板正对所述间隙的位置切割透光基板以将所述多个磊晶结构分离。