[发明专利]封装结构及其制法有效
申请号: | 201410441735.8 | 申请日: | 2014-09-01 |
公开(公告)号: | CN105321888B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 许诗滨;曾昭崇 | 申请(专利权)人: | 恒劲科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/13;H05K1/02;H05K3/46 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;赵根喜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制法 | ||
1.一种封装结构,其特征为包括:
一第一绝缘层,其具有相对的第一表面及第二表面,该第一绝缘层以压合或铸模方式制作;
一第一线路层,其结合于该第一绝缘层的第一表面;
多个第一导电体,其设于该第一绝缘层中并电性连接该第一线路层;
一第二线路层,其形成于该第一绝缘层的第二表面上并通过该多个第一导电体电性连接该第一线路层;
多个第二导电体,其设于该第二线路层上;
一第二绝缘层,其形成于该第一绝缘层的第二表面上并包覆该第二线路层与该多个第二导电体,且该第二绝缘层上具有至少一开口,以令该第二线路层的部分上表面外露于该开口,该第二绝缘层包覆该开口中的第二线路层的侧面;以及
至少一电子元件,其设于该开口中并电性连接该第二线路层。
2.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该第一线路层嵌埋于该第一绝缘层的第一表面。
3.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该第一导电体为导电柱。
4.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该第二导电体为导电柱。
5.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该第二线路层的表面高于或齐平该开口的底面。
6.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该第二线路层的表面低于该开口的底面。
7.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该第二线路层包含多个电性接触垫与多个导电迹线,且该多个电性接触垫结合并电性连接该电子元件。
8.如权利要求7所述的封装结构,其特征为,该电性接触垫连接该第一导电体。
9.如权利要求7所述的封装结构,其特征为,该电性接触垫未连接该第一导电体,且该导电迹线连接该第一导电体。
10.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该开口内为阶梯状。
11.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该电子元件为有源元件、无源元件或其二者的组合。
12.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该封装结构还包括设于该第二绝缘层上的多个导电元件,其电性连接各该第二导电体。
13.一种封装结构的制法,其特征为包括:
于一承载板上形成第一线路层;
于该第一线路层上形成多个第一导电体;
于该承载板上形成一具有相对的第一表面及第二表面的第一绝缘层,以令该第一绝缘层包覆该第一线路层与该多个第一导电体,且该第一绝缘层通过其第一表面结合至该承载板上;
于该第一绝缘层的第二表面上形成第二线路层,以令该第二线路层通过该多个第一导电体电性连接该第一线路层;
于该第二线路层上形成多个第二导电体;
于该第一绝缘层的第二表面上形成一第二绝缘层,以令该第二绝缘层包覆该第二线路层与该多个第二导电体;
于该第二绝缘层形成至少一开口,以令该第二线路层的部分表面外露于该开口;以及
于该开口中设置至少一电子元件,且令该电子元件电性连接该第二线路层。
14.如权利要求13所述的封装结构的制法,其特征为,该第一线路层的表面齐平该第一绝缘层的第一表面。
15.如权利要求13所述的封装结构的制法,其特征为,该第一导电体为导电柱。
16.如权利要求13所述的封装结构的制法,其特征为,该第二导电体为导电柱。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恒劲科技股份有限公司,未经恒劲科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410441735.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:梯度点对约束下的复杂道路检测方法
- 下一篇:旁通式油管浮阀