[发明专利]一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其是涉及到一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法。

背景技术

在现有的技术领域中，一颗芯片的制作工艺往往包含几百步的工序，主要的工艺模块可以分为光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长和清洗等几大部分。随着集成电路工艺的发展及特征尺寸的不断缩小，芯片上电路的分布也越来越复杂，任何环节的微小错误都将导致整个产品的失效，所以对工艺控制的要求就越来越严格。为了可以及时的发现产品的缺陷，在实际的生产过程中一般都配置有相当数量的缺陷检测设备对产品在线的检测，缺陷检测的原理是通过设备获得几个芯片的信号，然后再进行数据的比对，如图1a～1c表示为相邻的3个芯片，通过对3个芯片的图形数据进行同时采集，然后通过B芯片和A芯片的比较得出有信号差异的位置；再通过B芯片和C芯片的比较得出有信号差异的位置；那么这两个对比结果中差异信的相同位置就是B芯片上侦测到的缺陷的位置。而针对芯片上电路密度最高而且重复的结构，如图2所示，为了实现高精度的缺陷检测，采取的是重复结构之间的数据比对来确定缺陷的位置。但是，由于芯片本身设计的考虑，往往在一个芯片上有不同方向的静态存储器电路结构，按照目前的方法只能采取多次的扫描检测才能完成不同方向静态存储器的缺陷检测，这就会极大的影响检测的效率使得生产的成本大幅度的增加。

中国专利(CN103065993A)公开了一种晶圆缺陷检测系统，包括傅立叶滤波器，其包括位于光强信号采集范围内的多个阻挡单元，所述阻挡单元为第一方向排列的第一阻挡单元和/或第二方向排列的第二阻挡单元；切换模块与所述傅里叶滤波器相连，根据检测方向将所述阻挡单元切换为所述第一阻挡单元或所述第二阻挡单元；以及检测器，检测傅立叶滤波器透射的光。本发明还相应提供了一种晶圆缺陷检测方法。

上述专利公开的一种晶圆缺陷检测系统以及检测方法，在一次传送过程中就能完成不同方向图形上的晶圆缺陷检测，提高了缺陷检测的效率，但是该晶圆缺陷检测系统设计较为复杂，成本较高，无法进行第一方向上与第二方向上结构数据的对比进而进行缺陷检测，使其在缺陷检测时，缺陷检测精度受到限制。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，通过该方法可以解决无法进行第一方向上与第二方向上的重复结构数据的对比进而进行缺陷检测，使其在缺陷检测时，缺陷检测精度受到限制的缺陷。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：

一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其中，所述方法包括：

步骤S1、提供一具有集成电路版图的晶圆，所述集成电路版图包括若干沿第一方向分布的第一电路区和沿第二方向分布的第二电路区，且所述第一电路区和第二电路区的结构相同；

步骤S2、调用一检测设备检测所述集成电路版图，获取所述第一电路区与所述第二电路区在各自方向上的图形数据；

步骤S3、预先设定所述检测设备对所述图形的方向转换关系，将所述第一电路区与所述第二电路区在各自方向上的图形转换为同一方向，并进行检测。

步骤S4、获取所述第一电路区在第二方向上的图形数据，并与所述第二电路区在第二方向上的图形数据进行比对；或

获取所述第二电路区在第一方向上的图形数据，并与所述第一电路区在第一方向上的图形数据进行比对，进而完成对所述晶圆的缺陷检测。

较佳的，上述的不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其中，所述第一电路区与所述第二电路区均为静态存储器设计电路。

较佳的，上述的不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其中，所述第一电路区的方向垂直所述第二电路区的方向。

较佳的，上述的不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其中，所述检测设备为一光学缺陷检测设备。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：

本发明公开的一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，通过调用一光学缺陷检测设备获取晶圆中的静态存储器设计电路的两不同方向的图形数据，并根据光学缺陷检测设备中预先设定的方向转换关系对其中一种方向图形向另一种方向图形进行方向转换，并进行缺陷检测；因此本发明技术方案可以按照预先设定的检测方向可以实现对不同方向重复结构的静态存储器设计电路实现一次性扫描检测，大大提升了缺陷检测精度的同时降低了缺陷检测的成本。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分并未刻意按照比例绘制附图，重点在于表示出本发明的主旨。