[发明专利]一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法在审
| 申请号： | 201410441475.4 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104332422A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 不同 方向 集成电路 版图 缺陷 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S1、提供一具有集成电路版图的晶圆，所述集成电路版图包括若干沿第一方向分布的第一电路区和沿第二方向分布的第二电路区，且所述第一电路区和第二电路区的结构相同；
步骤S2、调用一检测设备检测所述集成电路版图，获取所述第一电路区与所述第二电路区在各自方向上的图形数据；
步骤S3、预先设定所述检测设备对所述图形的方向转换关系，将所述第一电路区与所述第二电路区在各自方向上的图形转换为同一方向，并进行检测。
步骤S4、获取所述第一电路区在第二方向上的图形数据，并与所述第二电路区在第二方向上的图形数据进行比对；或
获取所述第二电路区在第一方向上的图形数据，并与所述第一电路区在第一方向上的图形数据进行比对，进而完成对所述晶圆的缺陷检测。
2.如权利要求1所述的不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述第一电路区与所述第二电路区均为静态存储器设计电路。
3.如权利要求1所述的不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述第一电路区的方向垂直所述第二电路区的方向。
4.如权利要求1所述的不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述检测设备为一光学缺陷检测设备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
