[发明专利]固态摄像装置、制造固态摄像装置的方法以及电子装置有效
| 申请号： | 201410441186.4 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104465681B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 菊地晃司 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 摄像 装置 制造 方法 以及 电子 | ||
1.一种固态摄像装置，其包括：
彼此相邻的多个相位差检测像素；
遮光膜，其形成在所述多个相位差检测像素和成像像素之间；以及
分离结构，其与所述遮光膜形成在相同的层，并且布置成分离进入所述多个相位差检测像素的每个光接收单元的光，所述分离结构形成为侧壁面具有倾斜且横截面具有逐渐减小的形状。
2.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其还包括：
与所述多个相位差检测像素相对应地形成的微透镜。
3.根据权利要求2所述的固态摄像装置，其中，所述分离结构的折射率与所述分离结构周围的材料的折射率之间的差为0.2以上。
4.根据权利要求3所述的固态摄像装置，其中，所述分离结构的折射率是1。
5.根据权利要求2所述的固态摄像装置，其中，当所述成像像素以及所述相位差检测像素的高度一致时，所述微透镜形成为具有比与所述成像像素相对应地形成的其他微透镜的厚度大的厚度，所述成像像素与所述多个相位差检测像素一起布置在像素区中。
6.根据权利要求2所述的固态摄像装置，其中，所述分离结构形成为使得所述侧壁面的倾斜是根据所述多个相位差检测像素的分离特性来调整的。
7.根据权利要求2所述的固态摄像装置，其中，所述分离结构形成为使得上表面的宽度是根据所述多个相位差检测像素的分离特性来调整的。
8.根据权利要求2-7中任一项所述的固态摄像装置，其中，在所述多个相位差检测像素的每个所述光接收单元之间形成有沟槽。
9.根据权利要求2-7中任一项所述的固态摄像装置，其中，在所述分离结构的上表面上形成有防反射膜。
10.根据权利要求2-7中任一项所述的固态摄像装置，其中，所述多个相位差检测像素具有形成于所述微透镜的下层中的滤光器。
11.根据权利要求2-7中任一项所述的固态摄像装置，其中，与相邻的两个所述相位差检测像素相对应地形成一个微透镜。
12.根据权利要求2-7中任一项所述的固态摄像装置，其中，与布置成矩阵形式的四个所述相位差检测像素相对应地形成一个微透镜。
13.一种制造固态摄像装置的方法，所述固态摄像装置包括：
彼此相邻的多个相位差检测像素；
遮光膜，其形成在所述多个相位差检测像素和成像像素之间；以及
分离结构，其布置成分离进入所述多个相位差检测像素的每个光接收单元的光，
所述方法包括：
形成所述分离结构，使得所述分离结构的侧壁面具有倾斜且横截面具有逐渐减小的形状，其中，所述分离结构与所述遮光膜形成在相同的层。
14.一种包括如权利要求1-12中任一项所述的固态摄像装置的电子装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
