[发明专利]一种制备ZnxCd1-xS纳米空心砖的方法有效

专利信息
申请号: 201410440334.0 申请日: 2014-09-01
公开(公告)号: CN104229870A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 胡勇;胡恩来 申请(专利权)人: 浙江师范大学
主分类号: C01G11/02 分类号: C01G11/02;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 金华科源专利事务所有限公司 33103 代理人: 胡杰平
地址: 321004 浙江省金华市婺城*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 zn sub cd 纳米 空心砖 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于ZnxCd1-xS的纳米空心结构及其制备技术领域,特别是涉及ZnxCd1-xS非球形空心纳米结构的化学合成方法以及可控制备不同阳离子组分含量的ZnxCd1-xS的化学制备方法,其中x的含量可以控制在0~1.0之间。

背景技术

硫化锌镉(ZnxCd1-xS)作为一种能带间隙可变的半导体材料,其能带间隙随着x的不同而不同,具有优异的光电转换特性,因此在光催化领域受到广泛的关注。自从《物理化学》杂志(1986年,90卷824页)第一次报道用ZnxCd1-xS进行光解水制氢以来,已经有许多科学家在形貌控制上进行了研究。专利CN103145177A公开了合成ZnxCd1-xS纳米棒的方法。《国际氢能》杂志(2014年,39卷1630页)报道了合成ZnxCd1-xS纳米颗粒的方法,《先进材料》杂志(2005年,17卷1372页)也公开报道了ZnxCd1-xS纳米带的合成方法。虽然已经合成出了多种形貌的ZnxCd1-xS,但目前报道合成ZnxCd1-xS的方法多数都是需要高温和长时间条件下才可以完成。专利CN102285682公开报道的合成ZnxCd1-xS纳米晶的方法不需要高温也不需要长时间,但是获得的ZnxCd1-xS产物并非空心结构。

空心纳米结构是一种具有整齐空洞以及良好化学功能的特殊功能材料,他们的特殊结构使得其具有一些特性,如大的比表面积、低密度等。由于以上的优点,空心纳米结构材料的应用及其广泛,如催化剂、药物传输、能源储备和气体传感等方面。因此合成空心结构的纳米材料已经称为科学家们研究的焦点,如《美国化学会志》杂志(2014年,136卷4805页)公开报道合成空心多孔纳米球的方法。同时,在合成ZnxCd1-xS空心结构上也有科学家付出了不少努力,《中国物理B》(2013年,22卷10期108101页)报道了通过气相沉积的方法制备ZnxCd1-xS空心球的方法。但是涉及高温、低压等操作,不仅耗能而且耗时。目前制备锌镉含量可调的ZnxCd1-xS非球形空心结构能够同时实现低成本、易控制、重复性好的方法还没有报道。

发明内容

本发明针对ZnxCd1-xS纳米非球形空心结构难以合成的问题,提供了一种低成本、易控制、重复性好的制备ZnxCd1-xS纳米空心砖的方法。

本发明的技术方案是通过如下方式实现的:一种制备ZnxCd1-xS纳米空心砖的方法,以实心的钨酸银(Ag2WO4)纳米砖为模板,采用水和乙二醇为溶剂,以硫代乙酰胺(TAA)为硫源,采用水浴加热方法,获得中间产物硫化银(Ag2S)纳米空心砖;将所得的Ag2S纳米空心砖为模板,加入不同比例无机盐醋酸镉(Cd(CH3COO)2·2H2O)和醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O),以甲醇(MeOH)为溶剂,采用三苯基膦(TBP)为络合剂,在微波法加热的过程中通过阳离子交换反应制备出ZnxCd1-xS纳米空心砖。

在所述的一种制备ZnxCd1-xS纳米空心砖的方法中,制备ZnxCd1-xS纳米空心砖的方法包括以下步骤:

⑴Ag2WO4纳米砖的制备

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