[发明专利]含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料及其制备方法和由该材料制成的有机发光器件有效
申请号: | 201410439791.8 | 申请日: | 2014-08-30 |
公开(公告)号: | CN104262282A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 尹恩心;林文晶 | 申请(专利权)人: | 上海珂力恩特化学材料有限公司 |
主分类号: | C07D265/34 | 分类号: | C07D265/34;C09K11/06;H01L51/54 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 南小平 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吩恶嗪 半导体材料 及其 制备 方法 材料 制成 有机 发光 器件 | ||
1.一种含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料,其特征在于,该材料的结构表达式为:
式(I)中,R为苯基、对甲苯基或萘基。
2.根据权利要求1所述的含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1:向脱气后的反应容器中加入2-溴代苯酚、1-碘-2-硝基苊和碳酸钾,并用溶剂溶解,充分反应后生成5-(2-溴苯氧基)-4-苊基胺;
步骤S2:将上述5-(2-溴苯氧基)-4-苊基胺与含R取代基团的酸酐反应生成N-(5-(2-溴苯氧基)-4-苊基)-4-苯甲基甲酰胺;
步骤S3:继续合环反应生成含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料。
3.根据权利要求2所述的含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料的制备方法,其特征在于,所述步骤S1具体为:
向脱气后的反应容器中加入2-溴代苯酚1.0mmol、1-碘-2-硝基苊1.0mmol和2mmol碳酸钾,并用10mLDMSO溶解,100℃下加热15小时,冷却至室温后,加入大量水,用乙酸乙酯萃取三次,有机相水洗三次后,浓缩干燥得5-(2-溴苯氧基)-4-苊基胺。
4.根据权利要求2所述的含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料的制备方法,其特征在于,所述步骤S2具体为:
将5-(2-溴苯氧基)-4-苊基胺和5mmol的含R取代基团的酸酐混合,室温搅拌过夜,混合物加入碳酸钠的水溶液,用乙酸乙酯萃取,有机相用无水硫酸钠干燥,浓缩后柱层析得N-(5-(2-溴苯氧基)-4-苊基)-4-苯甲基甲酰胺。
5.根据权利要求2所述的含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料的制备方法,其特征在于,所述步骤S3具体为:
把N-(5-(2-溴苯氧基)-4-苊基)-4-苯甲基甲酰胺和2mmol碳酸钾加入反应器中,氮气保护下,通过注射器加入N,N'-二甲基乙二胺0.1mmol和甲苯1mL,在135℃搅拌24小时,反应液冷却至室温后用二氯甲烷溶解,过滤,浓缩溶液,通过柱层析得到含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料。
6.由权利要求1所述的含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料制成的有机发光器件,其包括第一电极、第二电极以及置于所述第一电极、所述第二电极之间的一个或多个有机化合物层,其特征在于,至少一个所述有机化合物层包含所述含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料。
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