[发明专利]一种用于加深硅片PN结深度的扩散方法及硅片无效
| 申请号： | 201410439730.1 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104409557A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 沈少杰 | 申请（专利权）人： | 苏州矽美仕绿色新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 韩国胜;张海英 |
| 地址： | 215400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 加深 硅片 pn 深度 扩散 方法 | ||
1.一种用于加深硅片PN结深度的扩散方法，其特征在于，包括：至少三个与推进相间隔的扩散工序，用于加深PN结的深度。
2.根据权利要求1所述的用于加深硅片PN结深度的扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，低温进舟、初步升温：在初始温度为790-810℃时开始向炉管内推进承载硅片的石英舟，进舟完成后将温度升至805-825℃并在氮氧共存的环境下保温，氮氧的流量分别控制在18100-19100sccm和1950-2050sccm。
步骤二，扩散：保温后，由氮气携带液态的三氯氧磷以流量为750-850sccm进入炉管，并在氮氧共存且氮氧流量分别为18100-19100sccm和1950-2050sccm的环境中与硅表面发生磷原子扩散进入硅片；
步骤三，推进：将温度保持在820-840℃，在氮气流量为19500-20500sccm的环境下保温700-1100s；
步骤四，重复至少一次步骤二和步骤三；
步骤五，重复步骤二；
步骤六，降温、退舟：停止通氧，在氮气环境下，将炉内温度降至800-820℃，控制退舟的速度为450-550mm/min。
3.根据权利要求2所述的用于加深硅片PN结深度的扩散方法，其特征在于，所述步骤一中进舟的时间控制在500-600s，所述步骤一中升温的时间控制在350-450s。
4.根据权利要求2所述的用于加深硅片PN结深度的扩散方法，其特征在于，步骤三中，在氮气流量为19800-20200sccm的环境下保温800-1000s。
5.根据权利要求2所述的用于加深硅片PN结深度的扩散方法，其特征在于，步骤六中，降温的时间控制在450-550s，出舟的时间控制在500-600s。
6.根据权利要求2所述的用于加深硅片PN结深度的扩散方法，其特征在于，步骤六中，出舟速度控制在480-510mm/min。
7.根据权利要求2所述的用于加深硅片PN结深度的扩散方法，其特征在于，步骤二中扩散的反应时间为750-850s。
8.一种硅片，其特征在于，采用权利要求1-7任一权利要求所述的用于加深硅片PN结深度的扩散方法制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
