[发明专利]一种力敏延时开关控制电路

说明书

技术领域

本发明属于开关控制领域，具体涉及一种力敏延时开关控制电路。

背景技术

目前的瞬时开关一般都采用延时控制电路实现，精密的延时控制电路能够使延时时间控制得非常精准，但是成本非常高，而一般的小型工业生产中，延时控制时间需要操作人员来具体操作。

而现有的延时控制电路一般采用电子开关的关断控制来进行延时控制，其延时时间太长或太短，不容易掌控生产的节奏，使生产效率低下。

发明内容

本发明的目的在于提供一种力敏延时开关控制电路，旨在解决小型工业生产中，延时控制电路效率低下的问题。

为了解决上述问题，本发明是这样实现的：一种力敏延时开关控制电路，所述力敏延时开关控制电路包括：

第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一电容、二极管、稳压二极管、第一开关管、第二开关管以及第三开关管；

所述第一电阻为力敏电阻，所述第一电阻的第一端与稳压二极管的阴极连接，所述稳压二极管的阳极与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第一电容的第一端、所述第一开关管的高电位端、所述第三电阻的第一端以及所述第七电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与电源电压的输出端、所述第四电阻的第一端以及所述第五电阻的第一端连接，所述第一电容的第二端接地，所述第一电阻的第二端与所述第八电阻的第一端以及所述第九电阻的第一端连接，所述第八电阻的第二端与所述第一开关管的控制端连接，所述第九电阻的第二端与所述二极管的阴极连接，所述二极管的阳极与所述第四电阻的第一端以及所述第六电阻的第一端连接，所述第七电阻的第二端与所述第二开关管的控制端连接，所述第一开关管的低电位端与所述第二开关管的低电位端共接于地，所述第五电阻的第二端与所述第三开关管的高电位端连接，所述第六电阻的第二端与所述第三开关管的控制端连接，所述第三开关管的低电位端与负载连接。

进一步地，所述第一开关管为第一NPN型三极管，所述第一NPN型三极管的基极为所述第一开关管的控制端，所述第一NPN型三极管的集电极为所述第一开关管的高电位端，所述第一NPN型三极管的发射极为所述第一开关管的低电位端。

进一步地，所述第二开关管为第二NPN型三极管，所述第二NPN型三极管的基极为所述第二开关管的控制端，所述第二NPN型三极管的集电极为所述第二开关管的高电位端，所述第二NPN型三极管的发射极为所述第二开关管的低电位端。

进一步地，所述第三开关管为第三NPN型三极管，所述第三NPN型三极管的基极为第三开关管的控制端，所述第三NPN型三极管的集电极为第三开关管的高电位端，所述第三NPN型三极管的发射极为第三开关管的低电位端。

进一步地，所述第一开关管为第一N型MOS管，所述第一N型MOS管的栅极为第一开关管的控制端，所述第一N型MOS管的漏极为第一开关管的高电位端，所述第一N型MOS管的源极为第一开关管的低电位端。

进一步地，所述第二开关管为第二N型MOS管，所述第二N型MOS管的栅极为所述第二开关管的控制端，所述第二N型MOS管的漏极为所述第二开关管的高电位端，所述第二N型MOS管的源极为所述第二开关管的低电位端。

进一步地，所述第三开关管为第三N型MOS管，所述第三N型MOS管的栅极为所述第三开关管的控制端，所述第三N型MOS管的漏极为所述第三开关管的高电位端，所述第三N型MOS管的源极为所述第三开关管的低电位端。

进一步地，所述第一开关管为第四N型MOS管，所述第四N型MOS管的栅极为第一开关管的控制端，所述第四N型MOS管的漏极为第一开关管的高电位端，所述第四N型MOS管的源极为第一开关管的低电位端。

进一步地，所述第二开关管为第四NPN型三极管，所述第四NPN型三极管的基极为所述第二开关管的控制端，所述第四NPN型三极管的集电极为所述第二开关管的高电位端，所述第四NPN型三极管的发射极为所述第二开关管的低电位端。

进一步地，所述第三开关管为第五N型MOS管，所述第五N型MOS管的栅极为所述第三开关管的控制端，所述第五N型MOS管的漏极为所述第三开关管的高电位端，所述第五N型MOS管的源极为所述第三开关管的低电位端。