[发明专利]一种力敏延时开关控制电路

权利要求书

1.一种力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述力敏延时开关控制电路包括：

第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一电容、二极管、稳压二极管、第一开关管、第二开关管以及第三开关管；

所述第一电阻为力敏电阻，所述第一电阻的第一端与稳压二极管的阴极连接，所述稳压二极管的阳极与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第一电容的第一端、所述第一开关管的高电位端、所述第三电阻的第一端以及所述第七电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与电源电压的输出端、所述第四电阻的第一端以及所述第五电阻的第一端连接，所述第一电容的第二端接地，所述第一电阻的第二端与所述第八电阻的第一端以及所述第九电阻的第一端连接，所述第八电阻的第二端与所述第一开关管的控制端连接，所述第九电阻的第二端与所述二极管的阴极连接，所述二极管的阳极与所述第四电阻的第一端以及所述第六电阻的第一端连接，所述第七电阻的第二端与所述第二开关管的控制端连接，所述第一开关管的低电位端与所述第二开关管的低电位端共接于地，所述第五电阻的第二端与所述第三开关管的高电位端连接，所述第六电阻的第二端与所述第三开关管的控制端连接，所述第三开关管的低电位端与负载连接。

2.如权利要求1所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第一开关管为第一NPN型三极管，所述第一NPN型三极管的基极为所述第一开关管的控制端，所述第一NPN型三极管的集电极为所述第一开关管的高电位端，所述第一NPN型三极管的发射极为所述第一开关管的低电位端。

3.如权利要求2所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第二开关管为第二NPN型三极管，所述第二NPN型三极管的基极为所述第二开关管的控制端，所述第二NPN型三极管的集电极为所述第二开关管的高电位端，所述第二NPN型三极管的发射极为所述第二开关管的低电位端。

4.如权利要求3所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第三开关管为第三NPN型三极管，所述第三NPN型三极管的基极为第三开关管的控制端，所述第三NPN型三极管的集电极为第三开关管的高电位端，所述第三NPN型三极管的发射极为第三开关管的低电位端。

5.如权利要求1所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第一开关管为第一N型MOS管，所述第一N型MOS管的栅极为第一开关管的控制端，所述第一N型MOS管的漏极为第一开关管的高电位端，所述第一N型MOS管的源极为第一开关管的低电位端。

6.如权利要求5所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第二开关管为第二N型MOS管，所述第二N型MOS管的栅极为所述第二开关管的控制端，所述第二N型MOS管的漏极为所述第二开关管的高电位端，所述第二N型MOS管的源极为所述第二开关管的低电位端。

7.如权利要求6所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第三开关管为第三N型MOS管，所述第三N型MOS管的栅极为所述第三开关管的控制端，所述第三N型MOS管的漏极为所述第三开关管的高电位端，所述第三N型MOS管的源极为所述第三开关管的低电位端。

8.如权利要求1所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第一开关管为第四N型MOS管，所述第四N型MOS管的栅极为第一开关管的控制端，所述第四N型MOS管的漏极为第一开关管的高电位端，所述第四N型MOS管的源极为第一开关管的低电位端。

9.如权利要求8所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第二开关管为第四NPN型三极管，所述第四NPN型三极管的基极为所述第二开关管的控制端，所述第四NPN型三极管的集电极为所述第二开关管的高电位端，所述第四NPN型三极管的发射极为所述第二开关管的低电位端。

10.如权利要求9所述的力敏延时开关控制电路，其特征在于，所述第三开关管为第五N型MOS管，所述第五N型MOS管的栅极为所述第三开关管的控制端，所述第五N型MOS管的漏极为所述第三开关管的高电位端，所述第五N型MOS管的源极为所述第三开关管的低电位端。