[发明专利]太阳能组件及太阳能电池有效
| 申请号: | 201410438528.7 | 申请日: | 2014-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN105449020B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
| 发明(设计)人: | 吴建树;陈麒麟 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商精曜有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/05;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司11137 | 代理人: | 林建军 |
| 地址: | 开曼群岛大开曼岛KY1-1*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能 组件 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能组件及太阳能电池,且特别是有关于一种具有较低的破损率的太阳能组件及太阳能电池。
背景技术
随着环保意识增强,节能减碳的概念逐渐受众人所重视,再生能源的开发与利用成为世界各国积极投入发展的重点。再生能源当中,由于太阳光随处可得,且不像其他能源(如:石化能源、核能)一般会对地球产生污染,因此太阳能与可将太阳光转换成电能的各种装置是目前看好的明星产业。
图1是已知的一种将晶棒切割为芯片的示意图。图2是切割出的芯片的侧视图。参照图1与图2,目前,太阳能组件的芯片30的其中一个制备程序是将长方体的晶棒10同时通过多条线锯20以切割出多个芯片30。由于晶棒10在初始接触线锯20以及离开线锯20时,会有不同的切削力道,而使得被切出的芯片30具有不同的厚度(如图2所示,芯片30在Y方向上,上下两侧较薄,中间较厚),完成太阳电池片后,亦维持相同形状。其后,在制造太阳能组件的过程中,会将导线40压合在芯片30上。目前常见的方法有两种,第一种方法为焊接,使用串焊机,将导线40表面的焊锡与电池片表面的导线焊接;第二种方法为使用导电黏着层将导线40与电池片表面的导线链接。图3是已知的一种将导线压合于芯片上的示意图。在图3中,示意性地展示将导线40压合于两个芯片30上,但芯片30的数量并不以此为限制。如图3所示,由于芯片30在不同部位存在厚度差,此厚度差会使得导线40在压合于芯片30上时,芯片30在不同部位所受到的力量不同,而容易发生芯片30破裂的状况。
发明内容
本发明提供一种太阳能组件,其太阳能芯片具有较低的破裂机率。
本发明的一种太阳能组件,包括背板,透光基板,多个太阳能电池,多条导线,及密封材料。所述太阳能电池设置于所述背板与所述透光基板之间;其中,所述太阳能电池包括芯片,多条汇流电极,及多条指状电极。所述芯片包括位于中间的芯片一区及位于所述芯片一区两侧的芯片二区,其中所述芯片一区的厚度大于所述芯片二区的厚度;所述汇流电极沿第一方向设置于所述芯片上,且每个所述汇流电极横跨所述芯片一区与所述芯片二区;所述指状电极沿第二方向设置于所述芯片上,并与所述汇流电极电连接,其中所述第一方向垂直于所述第二方向;所述导线连接所述太阳能电池,所述导线设置在所述汇流电极的一部分上,所述导线至多覆盖所述汇流电极在所述芯片二区上的一部分;所述密封材料填充于所述背板与所述太阳能电池之间,所述密封材料还填充于所述透光基板与所述太阳能电池之间。
优选地,每个所述汇流电极在所述芯片二区上超出所述导线覆盖区段的长度约为1毫米。
优选地,所述芯片二区在沿所述第一方向上的长度约在1毫米至10毫米之间。
优选地,每个所述汇流电极在每个所述芯片二区上的超出所述导线覆盖的区段的长度与每个所述芯片二区的长度在沿所述第一方向上的长度的比值约在0.1至1之间。
优选地,每个所述芯片二区在沿所述第一方向上的长度与所述芯片在沿所述第一方向上的长度的比值约为0.006至0.07之间。
优选地,所述导线设置于所述汇流电极的所述芯片一区的区段上,且外露出所述汇流电极在所述芯片二区的整个区段。
优选地,所述芯片二区存在厚度变化,所述芯片二区的厚度自靠近所述芯片一区处至所述芯片的边缘呈现逐渐减少的趋势。
优选地,所述芯片一区的厚度范围在100微米至200微米之间,所述芯片二区的厚度范围在10微米至190微米间。
优选地,所述芯片二区中的最小厚度与所述芯片一区的平均厚度的比值大于0.05且小于1。
优选地,还包括导电黏着层,设置于所述导线与所述汇流电极之间,所述导线及所述导电黏着层未至多覆盖所述汇流电极在所述芯片二区上的至少一部分。
本发明的一种太阳能电池,包括芯片,多条指状电极,及多条汇流电极。所述芯片包括位于中间的芯片一区及位于所述芯片一区两侧的芯片二区,其中所述芯片一区的厚度大于各所述芯片二区的厚度;所述指状电极沿第一方向设置于所述芯片上且所述指状电极横跨所述芯片一区与所述芯片二区;所述汇流电极沿第二方向设置于所述芯片的所述芯片一区上且电连接于所述指状电极,其中所述第一方向垂直于所述第二方向。
优选地,所述芯片二区存在厚度变化,且所述芯片的所述芯片二区的厚度自靠近所述芯片一区处至所述芯片的边缘呈现逐渐减少的趋势。
优选地,所述芯片一区的厚度范围在100微米至200微米之间,且所述芯片二区的厚度范围在10微米至190微米间。
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